甄建宇

作品数：5被引量：8H指数：2
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基于cascode结构的Ka频段CMOS功率放大器设计
《现代信息科技》2021年第5期60-62,66,共4页甄建宇 陈娜 
文章通过分析共源共栅功率放大器的基本原理,提出了一种新颖的基于cascode级间电路结构,通过优化电路级间的阻抗匹配的设计思路。同时采用55 nm RF CMOS硅基工艺设计并制作出一款工作于Ka频段的功率放大器。与传统的CMOS功率放大器相比...
关键词：功率放大器 共源共栅 CMOS 
硅基芯片TRL校准件的设计与制作被引量：1
《现代信息科技》2020年第20期23-25,30,共4页甄建宇 陈娜 
为了满足在K/Ka频带下设计硅基芯片电路时对器件模型精确测试的要求,文章分析了实现精确校准的硅基芯片TRL校准技术。根据TRL校准原理设计并制作了相应的校准件,用去嵌入的方式提取了片上电感、电容模型。在20 GHz~ 30 GHz高频应用中,...
关键词：硅基芯片 TRL校准技术 去嵌入 
一种正电控制低温漂单片数控衰减器被引量：1
《半导体技术》2014年第1期46-50,共5页韩玉鹏 赵国庆 赵瑞华 王凯 甄建宇 
数控衰减器在宽频带内具有高的衰减精度、优良的电压驻波比和大的衰减动态范围，因而得到了推广和应用。正电控制、低温漂6bit数控衰减器，各衰减位均采用具有低温漂特性的桥T型结构，并通过对衰减结构的合理构建，在不采用电平转换驱...
关键词：低温漂 数控衰减器 正电控制 单片微波集成电路(MMIC) 砷化镓 
一款超宽带GaAs单片数字移相器被引量：2
《半导体技术》2013年第11期807-811,共5页甄建宇 陈娜 赵瑞华 王凯 韩玉鹏 
分析了单片数字移相器的移相原理，详细介绍了每一个基本移相位的设计方法及结构，基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺技术设计并制作了一款超宽带6bit数字移相器。采用ADSMomentum微波设计环境进行了电路仿真，在中国电子科...
关键词：超宽带 砷化镓 单片微波集成电路(MMIC) 数字移相器 均方根误差(RMS) 
一种正电控制大衰减量的6bit单片数控衰减器被引量：5
《半导体技术》2013年第3期184-188,共5页甄建宇 王清源 赵瑞华 刘金 王凯 
分析了单片数控衰减器的衰减原理,设计了一款DC～2 GHz的大衰减量的6 bit数控衰减器。并通过数模混合设计,采用基于GaAs工艺的场效应管驱动器结构将正TTL电平转换为衰减器负的控制电平,成功实现了正电控制,对单片电路进行了仿真与优化,...
关键词：大衰减量 数控衰减器 正电控制 微波单片集成电路 数模混合 
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