随机存取

作品数：486被引量：342H指数：8
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TI MSP430FR231x系列FRAM MCU开发方案
《世界电子元器件》2016年第4期19-22,共4页
超低功耗MSP430FR231x FRAM微控制器(MCU)系列包含几款器件,采用嵌入式非易失性FRAM和不同的外设集,面向各种感应和测量应用。该架构、FRAM和外设,结合大量低功耗模式,可以延长便携式和无线传感应用的电池寿命。FRAM是一种新型非易失性...
关键词：FRAM 非易失性存储器 低功耗模式 泄露电流 开发方案 电池寿命 耐用度 首款 总功耗 随机存取存储器 
ST STM32L4:整合Cortex-M4内核超低功耗高性能MCU被引量：5
《世界电子元器件》2015年第4期42-43,共2页曹小娜 
在当今微控制器(MCU)市场,8位MCU凭借高性价比一直是中低端市场的首选。越来越多的用户开始选择高性能的32位MCU,而性能和功耗一直是设计人员选择的难题。日前,ST整合其超低功耗微控制器技术与在ARM Cortex-M4内核领域积累的多年丰富经...
关键词：CORTEX-M4 MCU ST STM32L4 存储容量 消费电子产品 中低端市场 人员选择 数字麦克风 意法半导体 随机存取存储器 
存储技术
《世界电子元器件》2013年第3期30-30,共1页
F—RAM：铁电随机存取存储器 赛普拉斯半导体在其产品系列中整合rRamtronInternational的铁电随机存取存储器（F-RAM）产品，提供了市场上丰富的快速写入非易失性存储器容量范围选择。这种全新组合能够充分满足大量不问应用对于断电时...
关键词：存储技术 铁电随机存取存储器 非易失性存储器 RAM 半导体 新组合 
MB85RC16：FRAM
《世界电子元器件》2013年第2期29-29,共1页
富士通半导体（上海）有限公司推出低功耗铁电随机存取存储器FRAM的小封装成员，SON-8封装的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供标准封装SOP-8，SON-8是为该产品添加的新型封装。
关键词：FRAM 铁电随机存取存储器 小封装 富士通 低功耗 半导体 
CPU/SoC/MCU
《世界电子元器件》2012年第11期27-27,共1页
爱特梅尔公司推出新型SAM4L系列微控制器，SAM4L系列器件集成picoPower专有超低功耗技术，是基于ARMCortex-M4的微控制器。SAM4L系列微控制器在工作模式下的功耗低至901JA／MHz。在采用6．40版本IAREmbeddedWorkbench工作平台上最高可...
关键词：MCU 随机存取存储器 低功耗技术 微控制器 工作平台 睡眠模式 电流 消耗 
1.25VRDIMM：动态随机存取存储器
《世界电子元器件》2011年第10期29-29,共1页
三星电子推出采用30纳米级企业服务器1．25V16GBDDR3RDIMM（RegisteredDualInlineMemoryModule）产品。
关键词：动态随机存取存储器 企业服务器 三星电子 纳米级 
nvSRAM：存储器
《世界电子元器件》2011年第5期33-33,共1页
赛普拉斯半导体公司推出串行非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM），该存储器具有I^2C和SPI接口，可用于仪表、工业和汽车应用。新的器件最高工作频率可分别达到104MHz（SPI器件）和3．4MHz（12C器件）。同时，用户还可以选择集成实时...
关键词：静态随机存取存储器 NVSRAM 赛普拉斯半导体公司 SPI接口 非易失性 I^2C 汽车应用 工作频率 
CY148101Q1／Q2：非易失性SRAM
《世界电子元器件》2009年第12期40-40,共1页
赛普拉斯半导体推出1Mbit串行非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM）系列，以及新的拥有集成实时时钟（RTC）的4Mbit和8Mbit nvSRAM。 nvSRAM基于其S8 0．13μm SONOS嵌入式非易失性存储器技术，能达到更大的密度并改善存取时间和性能。
关键词：非易失性存储器 NVSRAM 静态随机存取存储器 SONOS 实时时钟 存取时间 半导体 嵌入式 
最小静态随机存取存储器元件研制成功
《世界电子元器件》2009年第1期10-10,共1页
日本东芝公司、美国IBM和AMD公司近日联合发表新闻公报，这3家公司共同利用鳍式场效晶体管开发出面积仅0．128平方微米的静态随机存取存储器（SRAM）元件，并确认这种世界上最小的SRAM元件能够正常工作。
关键词：静态随机存取存储器 元件 日本东芝公司 AMD公司 SRAM IBM 晶体管 
CY148102／108：2／8Mbit nv SRAM
《世界电子元器件》2008年第9期61-61,共1页
赛普拉斯推出2M吼和8Mbit非易失陛静态随机存取存储器（nvSRAM），进一步丰富了公司旗下从16Kbit到8Mbit的nvSRAM产品系列。该新型产品的存取时间短至20ns，支持无限次的读写与调用循环，数据能保存20年。nvSRAM为需要持续高速写入数据...
关键词：NVSRAM 静态随机存取存储器 存取时间 数据安全 非易失性 RAID 工业控制 数据通信 
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