探测器芯片

作品数:28被引量:31H指数:3
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相关机构:中国科学院中国电子科技集团第十一研究所昆明物理研究所武汉高芯科技有限公司更多>>
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CdS紫外探测器芯片的制备研究
《红外技术》2021年第8期773-776,共4页何雯瑾 信思树 钟科 柴圆媛 黎秉哲 杨文运 太云见 袁俊 
针对紫外探测器在紫外-红外双色探测器中的工程化应用需求,开展了 Pt/CdS肖特基紫外探测器研究,通过对CdS晶片表面处理工艺、Pt电极制备及紫外芯片退火等关键技术进行优化研究,并对Pt/CdS肖特基紫外探测器性能进行测试分析。测试结果表...
关键词:Pt/CdS 肖特基 紫外探测器 I-V特性 
320×240混合式非制冷红外焦平面探测器芯片工艺研究被引量:3
《红外技术》2010年第1期1-5,共5页许娅明 任华 
热释电非制冷红外探测器具有成本低廉、无需制冷等优异特点,在红外探测和红外成像领域占有极其重要的地位。从热释电非制冷焦平面探测器的晶片制备、红外吸收结构设计、倒装互连等关键工艺的研究进行了阐述,其研究试验最终实现了320×24...
关键词:混合式 热释电 非制冷红外焦平面 工艺流程 
氧化钒非制冷红外焦平面探测器芯片工艺研究被引量:5
《红外技术》2009年第1期1-4,共4页袁俊 太云见 雷晓虹 何雯瑾 陈妞 
非制冷红外探测器具有成本低廉、无需制冷等优异特点,在红外探测和红外成像领域占有极其重要的地位。从氧化钒非制冷焦平面探测器的牺牲层、支撑层、氧化钒等制备工艺进行了研究,为国内非制冷焦平面探测器工程化研究奠定了坚实的技术基础。
关键词:非制冷 红外焦平面 氧化钒 工艺 
离子束刻蚀光导HgCdTe探测器芯片的温度限制被引量:2
《红外技术》1997年第4期25-26,24,共3页苏岗 洪锦华 吴思晋 
利用离子束对光导HgCdTe芯片阳极氧化膜、CrΑAu电极和HgCdTe芯片的成形进行刻蚀。
关键词:光敏面 离子束刻蚀 红外探测器 碲镉汞芯片 
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