铁电随机存储器

作品数：32被引量：55H指数：5
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相关领域：自动化与计算机技术一般工业技术电气工程更多>>
相关作者：宋晓莉黄涛张志勇贾涛王剑更多>>
相关机构：河南科技大学湘潭大学中国科学院电子科技大学更多>>
相关期刊：《现代电子技术》《世界电子元器件》《计算机与网络》《机电工程技术》更多>>
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铁电随机存储器F-RAM在动力电池管理上的应用被引量：1
《中国电子商情》2019年第5期26-27,共2页赛普拉斯半导体公司 
随着电动汽车技术的发展,以及政府的政策鼓励与扶持,电动汽车(混动+纯电动)以每年超过50%的速度高速增长,电池以及电池管理系统作为电动汽车的核心组件,其市场需求也获得相应的快速增长。本文将就电池管理系统対存储器的需求进行分析电...
关键词：动力电池 管理系统 存储器 应用 随机 电动汽车 汽车技术 政策鼓励 
富士通推出全新FRAM存储解决方案
《中国集成电路》2017年第7期6-6,共1页
富士通电子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出全新铁电随机存储器（FRAM）解决方案——MB85RSl28TY和MB85RS256TY，此为该全新产品系列的首推器件。这两款器件可在高达125℃的高温环境下运作，专为汽车产业和安装有电机的工业控制...
关键词：存储解决方案 富士通 FRAM 电子元器件 铁电随机存储器 高温环境 工业控制 汽车产业 
富士通针对车载电子和工业控制系统推出全新FRAM存储解决方案
《汽车零部件》2017年第6期26-26,共1页俞庆华 
富士通电子元器件（上海）有限公司在2017年6月5日宣布，推出全新FRAM（铁电随机存储器）解决方案——MB85RS128TY和MB85RS256TY，此为该全新产品系列的首推器件。这两款器件可在高达125℃的高温环境下运作，专为汽车产业和安装有电机...
关键词：电子元器件 工业控制系统 FRAM 存储解决方案 富士通 铁电随机存储器 车载 高温环境 
基于串行FRAM的固态存储器构建被引量：1
《计算机工程》2015年第3期64-70,共7页张小鸣 宋磊 
为简化嵌入式系统利用NAND闪存保存大容量数据的设计复杂性,提出一种利用铁电随机存储器(FRAM)构建固态存储器实现快速高效存取的方法。制定串行FRAM与RAM相结合的最优存储协议,给出查询存储器块的概念和串行FRAM存储数据的快速查询算法...
关键词：固态存储器 铁电随机存储器 存储协议 I2C总线 数据查询 块读/写 
铋层状结构铁电体的研究进展被引量：10
《无机材料学报》2014年第5期449-460,共12页张发强 李永祥 
国家自然科学基金重点项目(50932007);国际科技部973项目(2009CB613305)~~
铋层状结构铁电体(BLSF)作为一种类钙钛矿无铅铁电压电材料,由于其在高温、高频以及非易失性铁电随机存储器等领域具有突出的综合优势,因而受到广泛关注。本文以BLSF的综合特征为基础,对其结构设计和微结构研究中存在的问题进行了详细探...
关键词：铋层状结构 铁电体 无铅压电陶瓷 非易失性铁电随机存储器 综述 
基于0．18μm技术的SPIFRAM
《今日电子》2011年第9期64-64,共1页
FRAM（Ferroelectric Random Access Memory铁电随机存储器）将SRAM的快写与闪存的非易失性优势集中在一块芯片上。SPIFRAM家族MB85RSXXX包括3个型号：MB85RS256A、
关键词：铁电随机存储器 技术 RANDOM ACCESS MEMORY 非易失性 SRAM 优势集 
富士通半导体推出基于0.18μm技术的全新SPI FRAM
《电子与电脑》2011年第8期87-87,共1页
富士通半导体（上海）有限公司今日宣布推出基于0．18μm技术的全新SPI FRAM产品家族．包括MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A这3个型号，并从即日起开始为客户提供样片。FRAM（Ferroelectric Random Access Memory铁电随机存储器）将S...
关键词：FRAM SPI 半导体 富士通 技术 铁电随机存储器 RANDOM Access 
用于计算机系统的铁电随机存储器的研究进展被引量：1
《电脑编程技巧与维护》2011年第2期92-94,共3页肖月宁 
综述了铁电存储器的存储原理、电路结构及应用、尚未解决的主要铁电材料的环保问题、疲劳失效问题、信息保持力和破坏性读出等问题。
关键词：计算机系统 铁电薄膜 铁电随机存储器 
东芝开发出大容量非易失铁电存储器
《中国集成电路》2009年第3期5-5,共1页
日本东芝公司日前宣布，该公司开发出容量128兆比特、数据传输速度每秒1．6吉字节的非易失铁电随机存储器（FeRAM），创下世界非易失随机存储器容量和速度两项最高记录。本次开发的铁电随机存储器还采用与动态随机存储器（DRAM）相同的D...
关键词：日本东芝公司 大容量 铁电存储器 开发 铁电随机存储器 数据传输速度 动态随机存储器 DDR2 
富士通面向新一代FeRAM开发出可擦写1000亿次的存储材料
《家电科技》2008年第13期51-51,共1页
富士通研究所与东京工业大学联合开发出了面向新一代FeRAM（铁电随机存储器）的存储材料。该材料置换了部分BiFeO3（BFO）成分，与180nm工艺产品采用的物质属同一构造，也可用于90nm工艺以后的FeRAM，因此可实际应用于大容量FeRAM。
关键词：FERAM 富士通研究所 存储材料 铁电随机存储器 东京工业大学 90nm工艺 
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