电流峰谷比

作品数：7被引量：3H指数：1
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RTD/HEMT串联型共振隧穿三极管的设计与研制
《Journal of Semiconductors》2007年第10期1594-1598,共5页梁惠来 郭维廉 宋瑞良 齐海涛 张世林 胡留长 李建恒 毛陆虹 商跃辉 冯震 田国平 李亚丽 
对RTD/HEMT串联型共振隧穿三极管进行了设计和研制.测量结果表明:最大电流峰谷比为17.6∶1,栅压对峰值电压调控能力在1.5～7.7范围内,-3dB截止频率为4GHz,此种器件可与HEMT在结构和工艺上兼容,可应用于HEMT高速电路.
关键词：RTT RTD HEMT 跨导截止频率 电流峰谷比 
RTD/HEMT串联型RTT的设计与研制被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第7期1107-1111,共5页齐海涛 李亚丽 张雄文 冯震 商耀辉 郭维廉 
国防科技重点实验室基金(批准号:9140C0602030603);中国博士后科学基金(批准号:20060400189)资助项目~~
依据RTD/HEMT串联型RTT的概念,设计了RTD/HEMT单片集成材料结构,该结构采用分子束外延技术生长.采用湿法化学腐蚀、金属剥离、台面隔离和空气桥互连技术,研制了RTD/HEMT串联型RTT,并对RTT及RTT中RTD和HEMT的直流特性进行了测试.测试结...
关键词：共振隧穿晶体管 共振隧穿二极管 高电子迁移率晶体管 电流峰谷比 
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