硼扩散

作品数：43被引量：49H指数：4
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相关作者：高文钰许晓燕刘曼文李正殷涵玉更多>>
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3.4nm超薄SiO_2栅介质的特性被引量：1
《电子学报》2002年第2期269-270,共2页许晓燕 谭静荣 高文钰 黄如 田大宇 张兴 
国家自然科学基金 (No .699760 0 1 ) ;国家重点基础研究专项基金 (No .2 0 0 0 0 365)
用LOCOS工艺制备出栅介质厚度为 3 4nm的MOS电容样品 ,通过对样品进行I V特性和恒流应力下V t特性的测试 ,分析用氮气稀释氧化法制备的栅介质的性能 ,同时考察了硼扩散对栅介质性能的影响 .实验结果表明 ,制备出的 3 4nmSiO2 栅介质的...
关键词：超薄栅介质 软击穿 硼扩散 二氧化碳 
硼扩散引起薄SiO_2栅介质的性能退化被引量：3
《电子学报》1999年第8期144-144,共1页高文钰 刘忠立 梁秀琴 于芳 聂纪平 李国花 
国家自然科学基金
采用表沟ｐ＋多晶硅栅／ＰＭＯＳＦＥＴ代替埋沟ｎ＋多晶硅栅／ＰＭＯＳＦＥＴ具有易于调节阈值电压、降低短沟效应和提高器件开关特性的优点，因而在深亚微米ＣＭＯＳ工艺中被采纳．但是多晶硅掺杂后的高温工艺过程会使硼杂质扩散到薄...
关键词：PMOSFET 二氧化硅 栅介质 硼扩散 性能退化 
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