汽相外延

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相关机构：中国科学院昆明物理研究所中国电子科技集团第十三研究所北京大学更多>>
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材料制备工艺
《电子科技文摘》2006年第2期32-33,共2页
0603408 共沉淀法制备MFe2O4(M=Zn,Cd,Mg和Cu)厚膜的硫化物传感特性=Sulfide-sensing characteristics for MFe2O4(M=Zn,Cd,Mg and Cu)thick film prepared by co-precipitation method[刊,英]／C．Xiangfeng and Z． chenmou／／Electr...
关键词：制备工艺 分子束外延生长 分子束外延 汽相外延生长 等离子体衰减 碳纤维 碳化纤维 人造无机纤维 传感特性 缓冲层 异质结构 
晶体管、MOS器件
《电子科技文摘》2003年第4期20-21,共2页
Y2002-63306-417 0307166等离子体增强化学汽相沉积形成钝化膜的偏压应力导致 InAlAs/InGaAs/InP HEMTs 隔离退化=Isolationdegradation of InAlAs/InGaAs/InP HEMTs due to biasstress depending on passivation films formed by PCVD[...
关键词：MOS器件 等离子体增强 钝化膜 汽相外延生长 PCVD 沉积形成 沟道长度 热载流子 MESFET 噪声模型 
材料制备工艺
《电子科技文摘》2003年第4期24-25,共2页
Y2002-63306-276 0307221生长速率对金属有机分子束外延生长 InGaAs/InP(001)晶面横向组分调制的影响=Effects of growthrate on lateral compositional modulation of InGaAs/InP(001)grown by metalorganic m01ecular beam epiraxy[会...
关键词：材料制备工艺 分子束外延生长 汽相外延生长 compositional 可见光透射率 量子点 量子线 异质外延 晶格匹配 激光器结构 
金属与导电材料
《电子科技文摘》2003年第3期5-6,共2页
Y2002-63302-126 0304920磁场内电荷有序化合物 La0.5Ca0.5MnO3的超声研究=Ultrasonic investigation of charge-ordering compoundLa0.5Ca0.5MnO3 under magnetic ...
关键词：薄膜特性 氮化镓 汽相外延 超声研究 导电材料 透明导电膜 ORDERING Electron 多晶薄膜 形状记忆合金 
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