电吸收调制DFB激光器

作品数:5被引量:13H指数:2
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相关作者:王圩朱洪亮刘国利陈娓兮汪孝杰更多>>
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采用IFVD-QWI技术制备电吸收调制DFB激光器被引量:3
《光电子.激光》2013年第8期1451-1455,共5页张灿 朱洪亮 梁松 韩良顺 黄永光 王宝军 王圩 
国家"863"计划(2011AA010303;2012AA012203);国家自然科学基金(61021003;61090392);国家"973"计划(2011CB301702)资助项目
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在InGaAsP多量子阱/InP缓冲层/InGaAs层上沉积SiO2薄膜,通过N2气氛下快速热退火(RTA)方法实现无杂质空位扩散(IFVD)的量子阱混杂(QWI)。对不同退火温度下量子阱增益峰值波长的蓝移特性进行了实验...
关键词:无杂质空位扩散(IFVD 量子阱混杂(QWI) 电吸收调制(EAM)分布反馈(DBF)激光器 (EML) 
多量子阱电吸收调制DFB激光器的一种新型LP-MOCVD对接生长方法被引量:2
《Journal of Semiconductors》2003年第8期841-846,共6页胡小华 王圩 朱洪亮 王宝军 李宝霞 周帆 田惠良 舒惠云 边静 王鲁峰 
国家高技术研究发展计划 (No .2 0 0 1AA3 12 0 5 0 );国家重点基础研究发展规划(No .G2 0 0 0 0 683 0 1)资助项目~~
提出了一种提高多量子阱电吸收调制DFB LD集成器件 (EML)耦合效率的对接生长方法 .采用LP MOCVD外延方法 ,制作了对接方法不同的三种样片 ,通过扫描电镜研究它们的表面及对接界面形貌 ,发现新对接结构的样片具有更好的对接界面 .制作出...
关键词:电吸收调制DFB激光器 对接外延 LP—MOCVDf InGaAsP多量子阱 
单脊条形可调谐电吸收调制DFB激光器被引量:7
《中国激光》2001年第12期1057-1060,共4页刘国利 王圩 张静媛 陈娓兮 汪孝杰 朱洪亮 
863"高技术计划(编号:30 7 11 1(15));国家自然科学重大基金(编号:6 9896 2 6 0 )资助项目
报道了一种波长可热调谐的电吸收调制分布反馈激光器(Electroabsorptionmodulateddistributedfeedbacklaser,EML)。在激光器条形的侧面淀积一薄膜加热器,EML实现了 2 2nm的连续调谐。在调谐范围内,激光器输出功率的变化小于 3dB。采用...
关键词:DFB激光器 电吸收调制器 热调谐 相调谐 
低波长漂移的电吸收调制DFB激光器被引量:1
《Journal of Semiconductors》2001年第5期636-640,共5页刘国利 王圩 汪孝杰 张佰君 陈娓兮 张静媛 朱洪亮 
国家"863"高技术计划项目! (项目编号 :863 -3 0 7-11-1(15 ) );国家自然科学基金! (批准号 :698962 60 )&&
采用端面有效反射率法 ,从理论上计算了单片集成电吸收调制 DFB激光器 (Electroabsorption ModulatedDFB L aser,EML)的腔面反射率、耦合强度 (κL)对其波长漂移的影响 .同时在实验中通过改变腔面的反射率来验证计算结果 .理论与实验的...
关键词:DFB激光器 电吸收调制器 低波长漂移 
选区外延制作单片集成单脊条形电吸收调制DFB激光器被引量:1
《中国激光》2001年第4期321-324,共4页刘国利 王圩 许国阳 陈娓兮 张佰君 周帆 张静媛 汪孝杰 朱洪亮 
86 3高技术计划! (项目编号 :30 7 11 1(15 ) );国家自然科学基金! (批准号 :6 9896 2 6 0 )资助项目
报道了采用选区外延生长技术制作的可实用的单脊条形电吸收调制DFB激光器。激光器的阈值为 2 6mA ,最大光功率可达 9mW ,消光比可达 16dB。减小端面的光反馈后 ,从自发发射谱上观察不到波长随调制电压的变化 ,调制器部分的电容为 1 5pF ...
关键词:选区外延 LP-MOVPE DFB激光器 电吸收调制器 脊型波导 单片集成电路 
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