缺陷密度

作品数：125被引量：120H指数：5
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甲脒碘化铅单晶基钙钛矿太阳能电池的研究被引量：1
《物理学报》2023年第1期338-345,共8页朱咏琪 刘钰雪 石洋 吴聪聪 
国家自然科学基金(批准号:62004064);湖北省重点研发计划项目(批准号:2022BAA096)资助的课题。
近年来,CH(NH_(2))_(2)PbI_(3)(FAPbI_(3))由于其带隙接近理想值而受到了广泛关注,成为钙钛矿太阳能电池中最具吸引力的光电功能材料.然而由碘甲脒(FAI)和碘化铅(PbI_(2))作为前驱体制备的传统钙钛矿层化学计量比不精准,缺陷密度大,稳...
关键词：单晶 钙钛矿太阳能电池 结晶度 缺陷密度 
无催化剂条件下长达毫米级的超宽Ga2O3单晶纳米带制备及特性被引量：2
《物理学报》2020年第16期271-277,共7页祁祺 陈海峰 洪梓凡 刘英英 过立新 李立珺 陆芹 贾一凡 
国家自然科学基金(批准号:61306131);陕西省自然科学基础研究计划(批准号:2020JM-581)资助的课题.
氧化镓(Ga2O3)单晶纳米带由于具有独特的性质在电子器件中具有潜在的应用,然而目前过小的接触面积使得基于这种纳米材料的器件制备变得非常复杂且充满挑战.本文利用碳热还原法,在无催化剂条件下使氧化镓粉末与碳纳米管在高温下反应,生...
关键词：β-Ga2O3 碳热还原法 单晶纳米带 缺陷密度 
A study on the key factors affecting the electronic proper-ties of monocrystalline silicon solar cells被引量：3
《Optoelectronics Letters》2009年第6期422-426,共5页周继承 陈勇民 李莉 李斐 赵保星 
supported by the Grand Special Projects of Hunan Science and Technology Department of China (No. 08FJ1002)
The model of monocrystalline silicon solar cells is established,and the effects of wafer parameters,such as the p-Si(100) substrate thickness,the defect density,and the doping concentration,on the electronic propertie...
关键词：单晶硅太阳能电池 电子性质 硅(100) 掺杂浓度 缺陷密度 体积电阻率 电池模型 电子性能 
全新的ESANTI单晶圆湿式平台
《半导体信息》2007年第3期29-29,共1页江兴 
关键词：ESANTI 工艺过程 芯片制造 干化 产品周期 处理器技术 缺陷密度 技术单 绝对主导地位 专利产品 
半导体材料
《电子科技文摘》2002年第4期6-7,共2页
0205855低剂量 SIMOX 圆片线缺陷的针孔的研究[刊]/郑望//功能材料与器件学报.—2001.7(4).—431～433(C)用 Secco 法、Cu-plating 法分别表征了低剂量SIMOX 圆片顶层硅线缺陷、埋层的针孔密度。结果显示,低剂量 SIMOX 圆片的顶层硅缺...
关键词：半导体材料 埋层 圆片 材料制备工艺 退火过程 线缺陷 注入工艺 PLATING 缺陷密度 单晶光纤 
Φ6″CZSi热系统的改造对原生缺陷密度的影响
《中国科学（A辑）》2001年第7期639-643,共5页任丙彦 张志成 刘彩池 郝秋艳 王猛 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6 9876 0 0 6 );河北省重大攻关项目 (批准号 :0 0 2 135 0 2D)
在大直径CZSi单晶生长时 ,热场与氩气流场通过影响晶体与熔体的温度分布来影响硅单晶中缺陷的形成 .通过变单晶炉的普通热系统为以矮加热器为主的复合式热系统 ,改普通氩气流场为可控氩气流场 ,得到了原生缺陷密度不同的硅单晶 ,并通过...
关键词：原生缺陷 热场 氩气流场 数值模拟 硅单晶 CZSi热系统 集成电路 晶体生长 
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