热载流子

作品数：305被引量：256H指数：7
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不同宽长比的柔性LTPS TFT的电应力可靠性
《半导体技术》2024年第6期589-595,共7页张之壤 朱慧 刘行 张轶群 徐朝 郑文轩 
国家自然科学基金(62374012)。
为了研究不同宽长比的柔性低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)的电应力可靠性,测试了器件的I-V特性,以表征器件在强电场直流应力下由于自热效应和热载流子效应带来的电学性能退化。通过瞬态电流法表征了器件在强电场直流应力下的时间常数谱...
关键词：柔性低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT) 自热效应 热载流子效应 瞬态电流 强电场直流应力 
CMOS器件热载流子注入老化的SPICE建模与仿真
《半导体技术》2023年第10期902-910,共9页王正楠 张昊 李平梁 
为了准确预测芯片电路寿命,建立了一种能成功双向预测CMOS器件寿命和器件老化程度的可靠性模型。结合改进的衬底电流方程、漏源电流和时间变量t,组建了Age(t)模型。通过挑选合适的BSIM4模型参数,联合Age(t)方程构建指数函数关系式,建立...
关键词：热载流子注入(HCI) 可靠性仿真 老化模型 模型参数提取 SPICE模型 
叠层SOI MOSFET不同背栅偏压下的热载流子效应
《半导体技术》2023年第8期665-669,675,共6页汪子寒 常永伟 高远 董晨华 魏星 薛忠营 
国家重点研发计划项目(2022YFB4401700)。
叠层绝缘体上硅(SOI)器件通过调节背栅偏压来补偿辐照导致的阈值电压退化,对于长期工作在辐射环境中的叠层SOI器件,热载流子效应也是影响其可靠性的重要因素。因此,采用加速老化的方法研究了叠层SOI NMOSFET在不同背栅偏压下的热载流子...
关键词：叠层绝缘体上硅(SOI) 热载流子效应 背栅偏压 TCAD仿真 界面陷阱电荷 
基于表面等离激元热载流子效应的光解水研究进展被引量：1
《半导体技术》2021年第8期581-590,616,共11页严贤雍 翟爱平 石林林 王文艳 冯琳 李国辉 郝玉英 崔艳霞 
国家自然科学基金资助项目(61775156,61922060);山西省重点研发计划(国际科技合作)项目(201803D421044);霍英东教育基金会高等院校青年教师基金资助项目(20171402210001)。
近年来,二氧化钛、氧化锌等半导体材料被广泛应用于光解水研究中。金属纳米结构激发的表面等离激元(SPP)热载流子效应能够有效地俘获入射光,进一步增强光能与化学能之间的转换效率,是提高半导体光解水性能的一种可行方法。合理地将金属...
关键词：表面等离激元(SPP) 纳米结构 肖特基势垒 热载流子 光解水 
表面等离激元热载流子光电探测器研究进展(续)
《半导体技术》2020年第4期249-254,共6页邱开放 翟爱平 王文艳 李国辉 郝玉英 崔艳霞 
国家自然科学基金资助项目(61775156,61475109,61605136,61705155);山西省自然科学基金优秀青年基金资助项目(201701D211002);山西省重点研发(国际合作)项目(201603D421042);山西省青年拔尖人才;青年三晋学者;山西省平台基地专项(201605D131038)。
4其他方式激发SPP效应前文介绍了目前用来激发SPP效应最常见的几种方式,但研究者们也通过其他方式实现了SPP效应的激发,改善了器件的光电性能。最早研究的是利用棱镜耦合来激发SPP[82-85]。激发方式主要分为Kretschmann结构[83]和Otto[...
关键词：热载流子 光电探测器 光电探测器件 等离激元 半导体结 
高k介质金属栅器件热载流子测试及其失效机理
《半导体技术》2020年第4期317-322,共6页周昊 蔡小五 郝峰 赵永 
预研项目(31513040204)。
高k介质金属栅工艺器件的热载流子注入(HCI)效应已经表现出与成熟工艺不同的退化现象和失效机理。对不同栅电压下n型和p型金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)的饱和漏电流退化情况,以及器件的退化效应进行测试和分析。通过分析衬底电流和...
关键词：栅电压 热载流子注入(HCI) 饱和漏电流 衰退 老化机理 
表面等离激元热载流子光电探测器研究进展被引量：2
《半导体技术》2020年第3期169-178,共10页邱开放 翟爱平 王文艳 李国辉 郝玉英 崔艳霞 
国家自然科学基金资助项目(61775156,61475109,61605136,61705155);山西省自然科学基金优秀青年基金资助项目(201701D211002);山西省重点研发(国际合作)项目(201603D421042);山西省青年拔尖人才;青年三晋学者;山西省平台基地专项(201605D 131038)。
表面等离激元热载流子光电探测器最近几年颇受关注。可通过合理设计金属微纳结构,如改变其构成、形状、维度来实现能量低于材料带隙的光子光电转换,提升现有器件的综合性能。这一思路极大地拓展了传统半导体光电器件的设计范畴,因此被...
关键词：光电探测器 光电子器件 表面等离激元 热载流子 微纳结构 
基于低频噪声的65nm工艺NMOS器件热载流子注入效应分析被引量：4
《半导体技术》2019年第7期531-536,共6页何玉娟 刘远 章晓文 
国家自然科学基金资助项目(61574048,61204112);广东省省级科技计划项目(2017B090921001,2018A050506044)
随着器件特征尺寸的缩小,半导体器件受到热载流子注入(HCI)导致的损伤越来越小,采用常用的I-V测试方法很难获得其内部陷阱电荷的准确数据。采用I-V测试和低频噪声测试相结合的方式,分析了65 nm工艺NMOS器件HCI时的特性变化,采用低频噪...
关键词：热载流子注入(HCI)效应 低频噪声 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 界面态陷阱电荷 氧化层陷阱电荷 
22nm技术节点异质栅MOSFET的特性研究
《半导体技术》2012年第3期184-187,共4页杨颖琳 胡成 朱伦 许鹏 朱志炜 张卫 吴东平 
国家科技重大专项(2009ZX02305-003);上海高校特聘教授(东方学者)岗位计划资助项目
研究了22 nm栅长的异质栅MOSFET的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFET的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFET进行比较。分析结果表明,由于异质栅MOSFET的栅极由两种不同功函...
关键词：异质栅 金属氧化物半导体场效应晶体管 热载流子效应 表面电场 表面势 漏致势垒降低效应 
DEMOS在热载流子应力下的混合失效模式
《半导体技术》2009年第9期881-885,共5页高超 叶景良 
研究了18V漏极延伸金属氧化物半导体场效应晶体管(DEMOS)在高栅极电压下的热载流子注入效应。实验观察到两种失效模式,分别是热空穴的注入效应和高栅压导致的阈值电压增大,发现其对器件损伤分别局限在漏极区域和沟道区域,对器件的性能...
关键词：漏极延伸金属氧化物半导体场效应晶体管 热载流子 热空穴 Kirk效应 
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