热载流子注入

作品数：42被引量：44H指数：4
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相关作者：章晓文恩云飞唐逸任铮禹玥昀更多>>
相关机构：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司信息产业部电子第五研究所中芯国际集成电路制造(北京)有限公司长江存储科技有限责任公司更多>>
相关期刊：《集成电路应用》《合肥工业大学学报（自然科学版）》《电子器件》《物联网技术》更多>>
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5 V pMOS器件的热载流子注入退化机理
《电子器件》2018年第5期1093-1096,共4页杨翰琪 刘小红 吕康 魏家行 孙伟锋 
国家自然科学基金项目(61604038);江苏省高校品牌专业建设工程项目
研究了低压pMOS器件热载流子注入HCI(Hot-Carrier Injection)退化机理,分析了不同的栅压应力下漏极饱和电流(Idsat)退化出现不同退化趋势的原因。结合实测数据并以实际样品为模型进行了器件仿真,研究表明,快界面态会影响pMOS器件迁移率...
关键词：PMOS 热载流子注入 不同栅压应力 TCAD仿真 
一种新的SPICE BSIM3v3 HCI可靠性模型的建立及参数优化被引量：1
《电子器件》2014年第6期1049-1053,共5页禹玥昀 林宏 赵同林 狄光智 石艳玲 
研究中提出了用于描述HCI(热载流子注入)效应的MOSFET可靠性模型及其建模方法,在原BSIM3模型源代码中针对7个主要参数,增加了其时间调制因子,优化并拟合其与HCI加压时间(Stress time)的关系式,以宽长比为10μm/0.5μm5 V的MOSFET为研究...
关键词：SPICE模型 BSIM3v3模型 热载流子注入(HCI) 可靠性 参数 
电荷泵技术在高压MOS晶体管可靠性研究中的应用(英文)被引量：3
《电子器件》2009年第6期1023-1026,共4页禹玥昀 唐逸 万星拱 任铮 胡少坚 周伟 李曦 石艳玲 
This work was supported by Foundation of Shanghai Science&Technology Committee Grants 075007033 and 08706200802;上海市科委启明星项目资助(07QB14018,08706200802)
主要阐述了电荷泵技术在14 V HV MOS晶体管可靠性研究中的应用。使用了一种改进的电荷泵技术分析了经过热载流子加压后的器件特性。使用这种方法,我们可以精确描述器件损伤的位置和程度,以及可以精确评估由于HCI效应引起的界面缺陷的变...
关键词：电荷泵 界面缺陷密度 高压MOS 热载流子注入 
N-LDMOS热载流子注入效应的分析和优化被引量：3
《电子器件》2007年第4期1129-1132,共4页王文博 宋李梅 王晓慧 杜寰 孙贵鹏 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2003CB314705)
研究了一种N-LDMOS器件的热载流子注入效应,分析了热载流子效应产生的机理、对器件性能以及可靠性的影响,提出了改进方法.为了降低此器件的热载流子注入效应,我们利用华润上华公司提供的ISE软件对N-LDMOS高压工艺进行模拟,根据模拟结果...
关键词：LDMOS 热载流子注入 可靠性 
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