总剂量辐射效应

作品数：54被引量：113H指数：5
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：张正选郭旗李豫东崔江维陈明更多>>
相关机构：中国科学院中国科学院大学中国科学院新疆理化技术研究所电子科技大学更多>>
相关期刊：《微电子学与计算机》《核电子学与探测技术》《红外与激光工程》《固体电子学研究与进展》更多>>
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SOI NMOS侧壁晶体管总剂量辐射效应电流模型被引量：1
《固体电子学研究与进展》2018年第1期70-74,共5页许灵达 罗杰馨 陈静 何伟伟 吴伟 
国家自然科学基金资助项目(61404151);国家自然科学基金资助项目(61574153)
针对绝缘体上硅(SOI)NMOS侧壁晶体管的电流特性研究,利用Verilog-A语言建立了一个含有漏致势垒降低(DIBL)效应的侧壁晶体管电流模型。进一步基于SOI NMOS总剂量辐射效应机理将总剂量辐射效应引入该模型。新建立的侧壁晶体管电流模型既...
关键词：绝缘体上硅 侧壁晶体管 VERILOG-A 总剂量效应 电流模型 
NMOS晶体管的总剂量辐射效应仿真被引量：6
《固体电子学研究与进展》2015年第2期187-190,201,共5页杨变霞 李平 刘洋 
分析了MOS晶体管总剂量辐射效应的理论模型,并在此基础上给出了主要作用机理的仿真方法,用Sentaurus TCAD器件仿真软件对不同栅氧厚度的NMOS晶体管辐射前后的电学特性进行了模拟仿真,通过对比研究不同辐射总剂量下NMOS晶体管的I-V特性曲...
关键词：Sentaurus 总剂量 辐射效应 
0.18μm浮栅Flash存储器件的总剂量辐射效应试验研究
《固体电子学研究与进展》2011年第1期44-47,共4页范雪 李平 谢小东 李辉 杨志明 丛伟林 
针对自主设计的4 Mbit基于0.18μm商用CMOS flash工艺的浮栅flash存储器件进行了钴-60γ射线辐射效应试验研究。该存储器为FPGA的配置存储器。通过对被测器件分组,在加电配置和未加电配置条件下分别进行了钴-60γ射线辐射效应试验。试...
关键词：浮栅flash存储器件 总剂量效应 射线 
环栅CMOS/SOI的X射线总剂量辐射效应研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2007年第3期314-316,334,共4页贺威 张恩霞 钱聪 张正选 
采用硅离子注入工艺对注氧隔离(SIMOX)绝缘体上硅(SOI)材料作出改性,分别在改性材料和标准SIMOXSOI材料上制作部分耗尽环型栅CMOS/SOI器件,并采用10keVX射线对其进行了总剂量辐照试验。实验表明,同样的辐射总剂量条件下,采用改性材料制...
关键词：注氧隔离 绝缘体上硅 总剂量辐射效应 
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