总剂量效应

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“电子器件辐射效应与加固技术”专题前言被引量：1
《微电子学》2023年第6期943-944,共2页韩郑生 马瑶 
随着航空航天、核能开发利用以及高能物理研究的高速发展,越来越多的电子器件需要在辐射环境中工作。辐射粒子入射电子器件后,通过电离或非电离过程沉积能量,能够诱发包括单粒子效应、总剂量效应、位移损伤效应在内的多种辐射效应,对器...
关键词：效应机理 辐射效应 电离过程 总剂量效应 航空航天 电子系统 高能物理研究 入射电子 
浮栅晶体管不同射线剂量响应特性研究
《微电子学》2023年第6期981-987,共7页任李贤 孙静 何承发 荀明珠 郭旗 
特殊环境机器人技术四川省重点实验室开放基金资助项目(21kftk03);中科院西部之光资助项目(2021-XBQNXZ-020);国家自然科学基金资助项目(11975305)
针对浮栅晶体管在不同射线下的响应差异问题,进行了^(60)Co-γ射线、25 MeV质子和1 MeV电子的辐照试验,研究了不同射线下浮栅晶体管的剂量响应差异。采用蒙特卡罗方法对器件灵敏区的吸收剂量进行了修正。通过中带电压分离出界面陷阱电荷...
关键词：浮栅晶体管 总剂量效应 陷阱电荷分离 剂量响应差异 
回字形抗辐射环栅LDMOS建模与验证
《微电子学》2023年第6期1011-1016,共6页肖洋 
重庆市自然基金项目(CSTB2023NSCQMSX0153)
介绍了一种回字形抗辐射环栅LDMOS器件。分析了该器件在版图绘制中的结构优势,并结合Sentaurus仿真结果,通过区域划分和类MOS结构拟合阈值电压,给出了该器件的等效宽长比模型和饱和电流模型。在标准商用0.18μm BCD工艺下流片,测试结果...
关键词：总剂量效应 LDMOS 环栅器件 等效宽长比模型 
SiGe HBT瞬时剂量率效应实验及仿真研究
《微电子学》2023年第6期971-980,共10页郭亚鑫 李洋 彭治钢 白豪杰 刘佳欣 李永宏 贺朝会 李培 
国家自然科学基金资助项目(12005159)
锗硅异质结双极晶体管(SiGe Heterojunction Bipolar Transistor,SiGe HBT)由于其优异的温度和频率特性,在航空航天等极端环境中具有良好的使用前景,其辐射效应得到了广泛关注。针对KT9041 SiGe HBT进行了瞬时γ射线及脉冲激光辐照实验...
关键词：SiGe HBT 瞬时剂量率效应 总剂量效应 TCAD仿真 
Nb:SrTiO_(3)阻变单元及1T1R复合结构的电离辐射总剂量效应研究
《微电子学》2022年第6期1033-1038,共6页单月晖 连潞文 高媛 魏佳男 杜翔 唐新悦 罗婷 谭开洲 张培健 
国家自然科学基金资助项目(12105252);重庆市自然科学基金资助项目(cstc2021jcyj-bsh0246);国防工业抗辐照应用技术创新基金资助项目(KFZC2020020702)
开展了Nb∶SrTiO_(3)阻变单元及1T1R复合结构的X射线总剂量效应实验研究。结果表明,Nb∶SrTiO_(3)阻变单元在累积剂量达到10 Mrad(Si)时依然能够保持良好的阻变特性,高、低阻态未发生逻辑混乱。1T1R复合结构中的NMOS选通晶体管对电离辐...
关键词：Nb∶SrTiO_(3)阻变单元 总剂量效应 1T1R X射线辐射 
Flash存储器浮栅单元的总剂量效应统计性分析被引量：2
《微电子学》2022年第1期150-156,共7页梁润成 陈法国 郭荣 韩毅 刘兆行 张静 赵日 
中核集团青年英才计划资助项目(CNNC20010701);国防科工抗辐照中心创新基金资助项目(KFZC2020020302)。
针对核设施机电设备中控制系统存储单元耐辐射可靠性评价的需要,以国产NOR型Flash存储器为研究对象,对器件存储阵列浮栅单元的总剂量损伤阈值开展了实验研究。综合利用SMOTE算法和Bootstrap法建立了一种基于极小子样的器件耐辐照可靠性...
关键词：总剂量效应 FLASH存储器 可靠性分析 极小子样 
对称矩形环栅NMOS器件的建模与验证被引量：2
《微电子学》2021年第4期598-602,共5页蒋鹏凯 罗萍 吴昱操 凌荣勋 
预研项目(1126190601A)。
介绍了一种对称矩形环栅NMOS器件结构,并对其等效宽长比的计算模型和总剂量效应加固性能进行了研究。通过区域划分、保角变换等方法,对该对称矩形环栅NMOS器件进行建模,给出了其等效宽长比的计算模型。在0.18μm BCD工艺下进行流片,并...
关键词：总剂量效应加固 对称矩形环栅 等效宽长比计算模型 
增强型氮化镓功率器件的总剂量效应被引量：5
《微电子学》2021年第3期444-448,共5页陈思远 于新 陆妩 王信 李小龙 刘默寒 孙静 郭旗 
中科院西部之光项目(2019-XBQNXZ-B-014);国家自然科学基金资助项目(U1532261,U1630141,61534008)。
研究了P型帽层和共源共栅(Cascode)结构氮化镓(GaN)功率器件高/低剂量率辐照损伤效应。试验结果表明,P型帽层和Cascode结构GaN功率器件都不具有低剂量率损伤增强效应(ELDRS);Cascode结构GaN功率器件总剂量辐照损伤退化更明显;P型帽层结...
关键词：氮化镓功率器件 总剂量效应 低剂量率损伤增强效应 
总剂量辐射下双极型运放效应统计特性分析
《微电子学》2021年第2期285-289,共5页李顺 宋宇 周航 代刚 张健 
科学挑战计划项目(tz2016003-1)。
分析了国产运算放大器LM124的总剂量辐射效应统计规律。基于同一批次80个样本辐照前和100 Gy、200 Gy、500 Gy、1 000 Gy、1 500 Gy五个总剂量点辐照后的实验数据进行了分析,发现LM124的输入偏置电流退化呈对数正态分布特性,中位数随总...
关键词：总剂量效应 统计特性 分散性 
FinFET器件总剂量效应研究进展被引量：1
《微电子学》2020年第6期875-884,共10页张峰源 李博 刘凡宇 杨灿 黄杨 张旭 罗家俊 韩郑生 
国家自然科学基金资助项目(61874135)。
全面综述鳍式场效应晶体管(FinFET)的总剂量效应,包括辐照期间外加偏置、器件的工艺参数、提高器件驱动能力的特殊工艺、源/漏掺杂类型以及不同栅介质材料和新沟道材料与FinFET总剂量效应的关系。对于小尺寸器件,绝缘体上硅(SOI)FinFET...
关键词：总剂量效应 体硅FinFET器件 SOI FinFET器件 新材料 
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