肖特基势垒栅场效应晶体管

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晶体管、MOS器件
《电子科技文摘》2001年第5期15-17,共3页
N2001-07044 0107554电子情报通信学会技术研究报告:硅材料与器件SDM99-199~211(信学技报,Vol.99,No.618)[汇,曰]/日本电子情报通信学会.—2000.02.—90P.(L)本文集内容与信学技报,Vol.99,No.616相同。请参见文献 N2001-07042。Y2000-6...
关键词:高电子迁移率晶体管 肖特基势垒栅场效应晶体管 绝缘栅双极晶体管 开发与应用 情报通信 器件 高功率 研究报告 硅材料 结型晶体管 
晶体管、MOS器件
《电子科技文摘》2000年第6期22-24,共3页
Y2000-62067-44 0009263绝缘体上硅技术,器件与挑战=Silicon on insulatortechnology,devices,and challenges[会,英]/Cristoloveanu,S.//1998 IEEE International Conferenceon Optoelectronic and Microelectronic Materials and De-v...
关键词:绝缘体上硅技术 金属半导体场效应晶体管 异质结双极晶体管 高电子迁移率晶体管 碳化硅器件 功率附加效率 噪声特性 研究与进展 功率放大器 肖特基势垒栅场效应晶体管 
倍频器、分频器、混频器、变频器、移相器
《电子科技文摘》2000年第3期36-36,共1页
Y90-62020-87 0003909利用变换衬底双异质双极晶体管的66GHz 静态分频器:66GHz static frequency divider in transferred-sub-strate HBT technology[会,英]/Lee,Q.& Mensa,D.//1999 IEEE radiofrequency integrated circuits sym-posi...
关键词:混频器 变频器 肖特基势垒栅场效应晶体管 数字移相器 倍频器 静态分频器 双极晶体管 单片式 滤波器设计 蜂窝状 
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