量子阱混合

作品数：20被引量：12H指数：2
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：韩德俊赵杰黄晓东刘雪峰黄德修更多>>
相关机构：浙江大学北京师范大学天津师范大学华中理工大学更多>>
相关期刊：《光电子．激光》《功能材料与器件学报》《电子科技文摘》《光子技术》更多>>
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SiO_2膜增强InGaAsP超晶格外延片的量子阱混合被引量：4
《Journal of Semiconductors》2000年第11期1107-1110,共4页黄晓东 黄德修 刘雪峰 
国家自然科学基金资助项目! (批准号 695860 0 2 )&&
对晶格与 In P匹配的 In Ga As P超晶格结构外延片 ,运用等离子增强化学气相沉积法镀Si O2 膜 ,随后用碘钨灯快速热退火 ,进行无杂质空位扩散 ( IFVD)技术的实验研究 ,测量光致发光谱后得到了最大 50 nm的峰值位置蓝移 ;表明在没有掺杂...
关键词：超晶格材料 INGAASP 量子阱混合 二氧化硅 
二氧化硅覆盖退火增强磷化铟基体激光器材料的量子阱混合被引量：1
《Journal of Semiconductors》1999年第3期231-236,共6页韩德俊 朱洪亮 J.G.Simmons Q.C.Zhao 
国家自然科学基金!(批准号 :697860 0 1 );北京科技新星计划基金资助
我们对 Si O2 覆盖退火增强 In Ga As/In Ga As P/In P激光器材料量子阱混合技术进行了实验研究 .相对于原始样品 ,退火时无 Si O2 覆盖的样品经 80 0℃ ,30 s快速退火后 ,其光致发光谱的峰值波长“蓝移”了 7nm,退火时有 Si O2 覆盖的...
关键词：激光器材料 二氧化硅 磷化铟 量子阱 
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