单电子晶体管

作品数：179被引量：164H指数：6
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基于PSpice的单电子器件模型创建及其应用被引量：2
《半导体技术》2015年第4期284-288,307,共6页许翔 应时彦 肖林荣 
浙江省自然科学基金资助项目(Y1110808);嘉兴学院南湖学院重点课题资助项目(N41472001-5)
单电子晶体管(SET)有望被广泛应用于新一代集成电路技术中。PSpice是一款适用于PC机的电子电路仿真软件,但PSpice标准库不提供SET器件模型及相应元件的图形符号。为了采用图形化输入方式绘制SET电路并进行仿真,首先利用模型编辑器将Lien...
关键词：单电子晶体管 仿真 PSPICE 图形化输入 反相器 
纳米结构制备及硅单电子晶体管的研究被引量：2
《半导体技术》2002年第11期70-73,共4页卢刚 陈治明 毛胜春 马剑平 王建农 葛惟昆 
香港RGC的支持项目 (HKUST6086/97E)
介绍了用电子束光刻、反应离子刻蚀方法制备硅量子线和用电子束光刻、电子束蒸发以及剥离技术制备纳米金属栅的工艺方法;用这种工艺在p型SIMOX硅片上成功制造了一种单电子晶体管;在器件的电流电压特性上观测到明显的库仑阻塞效应和单电...
关键词：纳米结构 硅 单电子晶体管 库仑阻塞 单电子隧穿 
用以制备单电子晶体管的2DEG结构的设计
《半导体技术》2002年第3期67-71,共5页庞科 王太宏 
国家自然科学基金资助项目(69925410;19904015)
在一定的边界条件近似下,通过联立求解泊松和薛定谔方程,利用电荷控制模型对赝型高电子迁移率器件( p-HEMT)进行了模拟,分析了器件中二维电子气的面密度ns、d面掺杂层距离表面层厚度d1和距离二维电子气厚度d2对器件特性的影响,并讨论了...
关键词：制备 2DEG 设计 二维电子气 单电子晶体管 纳米器件 纳米加工 面密度 
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