单电子晶体管

作品数：179被引量：164H指数：6
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基于SET/MOS混合结构的译码器电路的设计
《微电子学与计算机》2008年第11期17-20,共4页李芹 蔡理 王森 吴刚 
陕西省自然科学基金项目(2005F20);空军工程大学理学院科研项目(2005ZK19)
基于SET的I-V特性以及SET与MOS管互补的特性,以MOS管的逻辑电路为设计思想,首先提出了一个SET/MOS混合结构的反相器,进而推出或非门电路,并最终实现了一个唯一地址译码器.通过SET和MOS管两者的混合构建的电路与纯SET实现的电路相比,电...
关键词：单电子晶体管 MOS管 反相器 或非门 译码器 
一种基于SET的A/D转换电路设计新方法被引量：1
《微电子学与计算机》2006年第1期153-155,共3页陈学军 潘崇黎 
文章基于单电子晶体管SET(SINGLEELECTRONTRANSISTOR)提出了一个A/D转换电路,这种电路完全利用了SET库仑振荡效应,能够在室温度下正常工作。说明了采用该方法设计N-BITA/D转换电路仅需要一个电容分配器(由2N-2个电容构成)和2N个SET。同...
关键词：单电子晶体管 库仑振荡 MD电路 
基于单电子晶体管图像信号处理应用研究
《微电子学与计算机》2006年第1期166-168,173,共4页贾贵 李建东 
研究了单电子晶体管的特性,文章提出一种基于单电子晶体管阵列的传输特性实现CNN方法,设计构成CNN。仿真结果表明,所设计的硬件电路具有结构简单、功耗低、频率特性好,将其应用于图像处理具有一定的灵活性和通用性。
关键词：单电子晶体管 细胞神经网络 图像处理 
基于单电子晶体管细胞神经网络的实现方法
《微电子学与计算机》2005年第1期174-176,共3页刘河潮 蔡理 王森 
陕西省自然科学基金项目(2002F34);空军工程大学学术基金项目(2002X12)
基于单电子晶体管穴SET雪的I-V特性和CNN细胞单元的硬件结构原理,给出了三种基于SET的CNN硬件电路具体实现方法:一是基于SET的库仑振荡特性和CMOS数字电路的设计思想方法;二是根据细胞单元的等效结构分块实现方法;三是基于SET阵列的传...
关键词：单电子晶体管 细胞神经网络 SET阵列 
背景电荷对单电子晶体管性能的影响及解决方法
《微电子学与计算机》2004年第10期176-178,共3页陈学军 蔡理 
陕西省自然科学基金资助(2002F34);空军工程大学学术基金资助(2002X12)。
在分析单电子晶体管(SingleElectronTransistor,SET)I-V特性基础上,阐明了背景电荷对SETI-VGS特性和I-VDS特性的影响,并针对SET工作的不同情况,提出了解决背景电荷问题的几种不同方法。举例说明了其中的一种抑制SET积分器电路背景电荷...
关键词：单电子晶体管 I-V特性 背景电荷 
单电子晶体管特性的简化分析及其应用
《微电子学与计算机》2004年第6期151-153,共3页陈学军 蔡理 孙铁暑 
陕西省自然科学基金项目(2002F34);空军工程大学学术基金项目(2002X12)
文章在研究单电子晶体管(SingleElectronTransistor,SET)I-V特性的基础上,阐明了一种简化分析方法,并据此设计了一个SET积分器,说明了SET积分器的工作条件、结构、性能、参数和特点。仿真结果表明:该积分器的传输特性与采用其它两种方...
关键词：单电子晶体管 积分器 传输特性 
单电子晶体管I-V特性数学建模
《微电子学与计算机》2003年第9期76-78,共3页孙铁署 蔡理 陈学军 
陕西省自然科学基金资助项目(2002F34);空军工程大学学术基金资助项目(2002X12)
基于正统单电子理论,提出了单电子晶体管的I-V特性数学模型。该模型的优点是:它由实际物理参数直接获得;支持双栅极工作,更利于逻辑电路应用。I-V特性和跨导仿真结果证实了它的准确性。
关键词：单电子晶体管 I-V特性 数学建模 隧穿电流 单电子电路 计算机模拟 
单电子器件的Monte Carlo模拟
《微电子学与计算机》2000年第4期47-50,共4页何红波 周继承 胡慧芳 李义兵 
国家自然科学基金; 霍英东基金!(69771011;69890227)
文章介绍了一种利用正统理论与 Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ方法模拟单电子隧穿器件的程序。该程序可模拟电子通过包含小隧道结、电容和理想电压源的电路的输运过程。利用该程序，对单库仑岛和多库仑岛的单电子晶体管（ＳＥＴ）系统进行了模拟。
关键词：MONTE CARLO模拟 单电子器件 单电子晶体管 
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