绿光LED

作品数：64被引量：147H指数：6
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通过诱导载流子的V坑传输提升GaN基绿光LED的空穴注入效率
《发光学报》2024年第5期800-808,共9页张东皓 杨东锴 徐畅 刘信佑 包立君 
国家自然科学基金(62071405)。
为了提升GaN基多量子阱LED的空穴注入效率,设计了具有不同最后势垒层结构的GaN基多量子阱外延结构,并将其制备为绿光mini-LED发光芯片,利用低温电致发光光谱、电流电压特性测试对其载流子传输机制进行了研究。结果表明,在采用AlGaN或GaN...
关键词：发光二极管 最后势垒层 空穴注入 INGAN/GAN多量子阱 V坑 
量子垒生长速率对InGaN基绿光LED性能的影响
《发光学报》2020年第4期429-434,共6页廖芳 莫春兰 王小兰 郑畅达 全知觉 张建立 江风益 
江西省重大科技研发专项(20165ABC28007,20171BBE50052,20182ABC28003);国家自然科学基金(61704069,51602141,11674147);中央引导地方科技发展专项资金(20192ZDD02004)资助项目。
利用MOCVD技术在图形化Si(111)衬底上生长了InGaN/GaN绿光LED外延材料。在GaN量子垒的生长过程中,保持NH3流量不变,通过调节三乙基镓(TEGa)源的流量来改变垒生长速率,研究了量子垒生长速率对LED性能的影响。使用二次离子质谱仪(SIMS)和...
关键词：绿光LED 量子垒 生长速率 外量子效率 
InGaN绿光LED中p-AlGaN插入层对发光效率提升的影响（英文）
《发光学报》2019年第9期1108-1114,共7页余浩 郑畅达 丁杰 莫春兰 潘拴 刘军林 江风益 
国家重点研发计划(2016YFB040060,2016YFB0400601);国家自然科学基金重点项目(61334001);江西省发展计划(20165ABC28007,20182ABC28003)资助项目~~
基于含有V坑结构的Si(111)衬底InGaN/GaN绿光LED,我们在传统p-AlGaN电子阻挡层之后优化生长一层25 nm的低掺镁p-AlGaN插入层,并获得明显的效率提升。在35 A/cm 2的电流密度下,主波长为520 nm的LED外量子效率和光功率分别达到43.6%和362....
关键词：绿光LED p-AlGaN插入层(IL) 外量子效率 V坑 空穴注入效率 
氮化镓基绿光LED中V坑对空穴电流分布的影响被引量：1
《发光学报》2018年第5期674-680,共7页许毅 吴庆丰 周圣军 潘拴 吴小明 张建立 全知觉 
国家自然科学基金(11674147;11364034;21405076;11604137;51602141);江西省自然科学基金(20161BAB201011);江西省重点研发计划(20171BBE50052)资助项目~~
采用实验与理论模拟相结合的方法,研究了氮化镓基绿光发光二极管(LED)中V坑对空穴电流分布的影响。首先,实验获得了V坑面积占比不同的3种样品;然后,建立数值模型,使得理论计算的外量子效率(EQE)及电压与实验测试的变化趋势相匹配,从而...
关键词：V坑 氮化镓 绿光LED 空穴电流分布 
纳米柱高度对GaN基绿光LED光致发光谱的影响被引量：6
《发光学报》2016年第8期967-972,共6页黄华茂 黄江柱 胡晓龙 王洪 
"863"国家高技术研究发展计划(2014AA032609);国家自然科学基金(61404050);广东省科技计划(2014B010119002;2016A010103011);广州市珠江科技新星专项(201610010038);中央高校基本科研业务费专项资金(2015ZM131)资助项目
纳米柱结构是释放高In组分InGaN/GaN绿光LED量子阱层应变的有效方法。本文采用自组装的聚苯乙烯微球掩模、感应耦合等离子体干法刻蚀和KOH溶液的湿法腐蚀,在GaN基绿光LED外延片上制备了3种高度的纳米柱结构,通过扫描电子显微镜观察纳米...
关键词：GAN基LED 绿光LED 纳米柱结构 光致发光谱 
低温插入层对绿光LED的发光影响(英文)
《发光学报》2013年第6期744-747,共4页宋世巍 柳阳 梁红伟 夏小川 张克雄 杨德超 杜国同 
国家自然科学基金(60976010,61076045,11004020);国家863项目(2011AA03A102);中央高校项目(DUT12LK22,DUT11LK43,DUT11RC(3)45);高等学校博士学科点专项科研基金(20110041120045)资助项目
利用MOCVD技术在蓝宝石衬底上外延生长了具有低温插入层结构的绿光LED,研究了具有插入层结构的LED的发光特性。插入层的引入增加了In在量子阱中的并入,并且引起了波长红移。经过分析,认为是In的相分离和极化场带来的红移,且恶化了器件...
关键词：LED 相分离 插入层 
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