胡晓龙

作品数：9被引量：26H指数：4
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供职机构：华南理工大学更多>>
发文主题：衬底氮化物分布布拉格反射镜电镀谐振腔更多>>
发文领域：电子电信理学化学工程更多>>
发文期刊：《发光学报》《光学与光电技术》《半导体技术》更多>>
所获基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金广东省战略性新兴产业专项更多>>
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金属掺杂ITO透明导电薄膜的制备及应用
《光学与光电技术》2018年第5期42-47,共6页文如莲 胡晓龙 梁思炜 王洪 
广东省科技计划项目(2015B010127013、2016B010123004、2017B010112003);广州市科技计划项目(201504291502518、201604046021);中山市科技发展专项(2017F2FC002、2017A1007);贵州省科技厅、贵州民族大学联合基金([2015]7221)资助项目
研究制备了一种新型金属掺杂ITO透明导电薄膜。通过研究掺杂不同的金属及不同的金属厚度,对比在500℃和600℃退火条件下的透过率和方块电阻变化,并利用这种掺杂的ITO薄膜制备成14mil×28mil正装395nm UV LED芯片。利用电致发光(EL)设备...
关键词：导电薄膜 掺金属 退火 395nm紫外LED 薄膜性能 
GaN基薄膜LED倒装芯片表面结构设计及光萃取效率研究被引量：4
《发光学报》2017年第3期338-346,共9页齐赵毅 胡晓龙 王洪 
国家高技术研究发展计划(863)(2014AA032609);国家自然科学基金(61404050);广东省重大科技专项(2014B010119002);广东省应用型科技专项资金重大项目(2015B010127013);广州市产学研协同创新重大专项项目(201504291502518)资助~~
利用FDTD方法研究具有表面微纳结构氮化镓基倒装薄膜LED芯片的光萃取效率。通过优化表面结构并研究了器件的光萃取效率随p-Ga N层厚的变化。研究发现,具有表面光子晶体和六棱锥结构的器件的光萃取效率最大值比无表面微结构器件分别提高...
关键词：倒装薄膜LED FDTD 光萃取效率 光子晶体 六棱锥 
胶体微球单层薄膜的制备、表征及应用
《光学与光电技术》2016年第6期77-81,共5页黄江柱 黄华茂 胡晓龙 王洪 
863国家高技术研究发展计划(2014AA032609);国家自然科学基金(61404050);广东省重大科技专项(2014B010119002);中央高校基本科研业务费专项资金(2015ZM131)资助项目
为使用大面积均匀分布的微球掩模制作纳米柱LED,对胶体微球单层薄膜的自组装技术进行了研究。采用旋涂法、滴定法和气液界面法,对2μm和455nm两种粒径的胶体微球进行自组装实验,并使用扫描电子显微镜进行观察和比较,分析了三种方法的优...
关键词：胶体微球 自组装技术 气液界面法 纳米柱LED 微球掩膜 
纳米柱高度对GaN基绿光LED光致发光谱的影响被引量：6
《发光学报》2016年第8期967-972,共6页黄华茂 黄江柱 胡晓龙 王洪 
"863"国家高技术研究发展计划(2014AA032609);国家自然科学基金(61404050);广东省科技计划(2014B010119002;2016A010103011);广州市珠江科技新星专项(201610010038);中央高校基本科研业务费专项资金(2015ZM131)资助项目
纳米柱结构是释放高In组分InGaN/GaN绿光LED量子阱层应变的有效方法。本文采用自组装的聚苯乙烯微球掩模、感应耦合等离子体干法刻蚀和KOH溶液的湿法腐蚀,在GaN基绿光LED外延片上制备了3种高度的纳米柱结构,通过扫描电子显微镜观察纳米...
关键词：GAN基LED 绿光LED 纳米柱结构 光致发光谱 
基于谐振腔效应的近紫外垂直结构LED光萃取效率优化被引量：3
《发光学报》2016年第7期836-844,共9页胡晓龙 齐赵毅 黄华茂 王洪 
“863”国家高技术发展研究计划（2014AA032609）;国家自然科学基金（61404050,61504044）;广东省战略性新兴产业专项资金（2012A080302003）;广东省重大科技专项（2014B010119002）资助项目
利用有限时域差分法研究近紫外垂直结构LED的光萃取效率的影响因素。结果显示,LED的光萃取效率随p-GaN层厚度的变化呈周期性振荡变化,在极大值点处的光萃取效率是极小值点处的4.8倍。进一步地,对上述振荡极大值点和极小值点的n-GaN层厚...
关键词：发光二极管 光萃取效率 近紫外 光子晶体 谐振腔效应 
GaN基垂直结构LED的n型电极结构设计及芯片制备被引量：5
《发光学报》2016年第3期338-345,共8页刘丽 胡晓龙 王洪 
国家高技术研究发展计划(863计划)(2014AA032609);国家自然科学基金(61404050);广东省战略性新兴产业专项资金(2012A080302003);中央高校基本科研业务费(2014ZM0036)资助项目
首先利用电流路径模型分析n型电极尺寸及间距等对垂直结构发光二极管(VS-LEDs)电流分布均匀性的影响,依此设计出一种螺旋状环形结构电极。其次,通过建立有限元分析软件Comsol仿真模型模拟VSLEDs有源层的电流密度分布,发现螺旋状环形结...
关键词：氮化镓 垂直结构发光二极管 电流分布 螺旋状环形结构电极 
基于混合型量子阱的GaN基垂直结构发光二极管性能被引量：2
《发光学报》2015年第6期639-644,共6页蔡镇准 胡晓龙 刘丽 王洪 
国家高技术研究发展计划(863计划)(2014AA032609);国家自然科学基金(61404050);广东省战略性新兴产业专项资金(2012A080302003);中央高校基本科研业务费(2014ZM0036)资助项目
为解决Ga N基垂直结构发光二极管(VS-LEDs)在大电流驱动时效率下降的问题,制作了具有耦合量子阱(CQWs)和传统量子阱(NQWs)的混合型量子阱(HQWs)结构VS-LEDs。与NQWs结构VS-LEDs相比,HQWs结构VS-LEDs在350 m A输入电流下的正向偏压降低0....
关键词：GAN 垂直结构LEDs 混合型量子阱 效率下降 
激光剥离GaN表面的抛光技术被引量：1
《半导体技术》2014年第10期758-762,共5页应磊莹 刘文杰 张江勇 胡晓龙 张保平 
国家自然科学基金资助项目(61274052;61106044);中国科学院纳米器件与应用重点实验室开放课题资助项目(14ZS02)
激光剥离(LLO)技术是研制新型氮化镓(GaN)基谐振腔结构光电子器件的关键技术。然而LLO后的GaN表面往往具有较大的粗糙度,而制作谐振腔结构器件需要很高的表面平整度,因此需要对LLO后的GaN表面进行抛光。分别采用金刚石粉抛光液和胶粒二...
关键词：激光剥离(LLO) GAN 化学机械抛光(CMP) 垂直结构发光二极管(VSLED) 谐振腔发光二极管(RCLED) 垂直腔面发射激光器(VCSEL) 
ITO表面粗化提高GaN基LED芯片出光效率被引量：8
《发光学报》2014年第5期613-617,共5页胡金勇 黄华茂 王洪 胡晓龙 
国家高技术研究发展计划(863)(2014AA032609);广东省战略性新兴产业发展专项资金(2010A081002009;2011A081301004;2012A080302003);中央高校基本科研业务费专项资金(2013ZM093;2013ZP0017)资助项目
使用现有生产线上工艺成熟且成本低廉的技术实现ITO粗化以提高GaN基LED蓝光芯片的出光效率是产业界重要的研究课题。本文通过普通光刻技术和湿法腐蚀技术,实现ITO表面粗化,有效地提高了LED芯片的输出光功率。输入电流为20 mA时,ITO层制...
关键词：LED ITO 表面粗化 出光效率 
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