多层金属化

作品数：14被引量：12H指数：2
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Al／TiN／Ti多层金属化在微波器件中的应用研究
《半导体技术》1996年第5期19-22,共4页孙英华 李志国 程尧海 郭伟玲 李学信 穆德成 
在双极型微波器件３ＤＧ４４、３ＤＧ８６上采用了新型金属化Ａｌ／ＴｉＮ／Ｔｉ系统．研究了多种热电应力下ＴｉＮ的阻挡特性，结果显示采用ＴｉＮ层的器件抗热电迁徙能力显著提高，加速寿命为原器件的３倍多。ＡＥＳ分析表明原器件失...
关键词：欧姆接触 阻挡层 电徒动 微波器件 金属化 
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