介质膜

作品数：228被引量：294H指数：7
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：张怀金邵建达陈蒲生张斗国王继扬更多>>
相关机构：中国科学院精工爱普生株式会社株式会社村田制作所松下电器产业株式会社更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划广东省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=微电子学x
共 条 记 录，以下是1-3
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
U型高K介质膜槽栅垂直场板LDMOS
《微电子学》2024年第1期110-115,共6页钱图 代红丽 周春行 陈威宇 
天津市大学生创新创业训练计划项目(202210060101)。
近年来,随着汽车电子和电源驱动的发展,集成度较高的LDMOS作为热门功率器件受到了关注,如何提高其击穿电压与降低其比导通电阻成为提高器件性能的关键。基于SOI LDMOS技术,文章提出了在被4μm的高K介质膜包围的SiO_(2)沟槽中引入垂直场...
关键词：LDMOS 高K介质 垂直场板 击穿电压 比导通电阻 
半导体用超薄介质膜的生长和特性
《微电子学》1992年第2期62-69,共8页奠铭 
随着集成电路器件物理尺寸的减少,介质膜的厚度也必然相应减少。而介质膜厚度的减小又会产生一些不希望有的物理的和电学的效应,特别是通常采用的二氧化硅介质膜厚小于15nm时,这些影响更为突出。在介绍这类薄二氧化硅的生长动力学和特性...
关键词：半导体 介质膜 生长 
高质量介质膜的淀积
《微电子学》1991年第1期75-77,共3页Peter H.Singer 刘永光 
打开一块当今集成电路的封帽,一层层剥去,就会在几个不同膜层发现CVD淀积的介质材料。首先,在钝化层,有保护芯片不受潮湿、不受灰尘影响、不被划伤的氮化硅或氮氧化合物薄膜。 再往下一点的芯片中,金属互连线之间,是二氧化硅和/或硼磷...
关键词：集成电路 介质膜 CVD淀积 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部