多孔硅

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RIfS干涉基底的制备、应用及展望
《化学进展》2023年第12期1793-1806,共14页苏倩倩 孙宇 张文文 彭正得 钱卫平 
数字医学工程全国重点实验室开放研究基金资助课题(No.2023-K13);江苏省“双创博士”人才基金项目(No.JSSCBS20211301);江苏海洋大学博士科研启动项目(No.KQ21002)资助。
反射干涉光谱(Reflectometric interference spectroscopy, RIfS)是一种利用白光干涉原理来对薄膜光学厚度进行测量的非标记检测技术。干涉基底作为RIfS系统的传感单元,是RIfS技术的核心部分,也是决定RIfS系统性能的关键。目前使用的干...
关键词：反射干涉光谱 干涉基底 纳米多孔阳极氧化铝 多孔硅 胶体晶体 
多孔硅/八羟基喹啉铝复合体系的电致发光
《电子器件》2003年第2期133-135,共3页徐洪光 孟瑞平 徐春祥 崔一平 
国家自然科学基金(批准号:60076002和10274009);江苏省教育基金资助(批准号:JH01-009)
采用阳极氧化法制备了多孔硅(PS),通过真空沉积在纳米孔中组装了有机发光小分子八羟基喹啉铝(Alq_3),制作了有机/无机复合电致发光器件,并与单层的Alq_3电致发光器件相比较,观察到复合体系的电致发光蓝移现象,这种蓝移现象与纳米孔对有...
关键词：多孔硅 电致发光 八羟基喹啉铝 蓝移 
多孔硅M/PS结的研究
《光电子技术》2003年第1期24-26,共3页徐伟弘 许国良 王发强 
对不同金属形成的 M/PS/Si/Al结构样品进行测试 ,发现其 I- V特性曲线具有相似的形状 ,区别仅在于高偏压下的串连电阻不同 ,通过进行表面态对 M/PS影响的分析可知
关键词：多孔硅 I-V特性 
多孔硅光电导特性研究
《光电子技术》2002年第4期220-222,238,共4页徐伟弘 许国良 王发强 丁铁骑 
多孔硅材料具有较强的可见光光电导效应 ,本文采用阳极氧化工艺制作了 Al/PS/Si/Al的结构样品 ,给出了由不同工艺制备的样品的光电导响应曲线及其峰值。结果表明 :多孔硅禁带宽度在 1 .9e V左右 ,大于 Si的禁带宽度 1 .1 2 e V,这与多...
关键词：多孔硅 光电导 阳极氧化 禁带宽度 
多孔硅中八羟基喹啉铝的光致发光被引量：4
《光电子．激光》2001年第8期845-847,共3页薛清华 徐春祥 钟嫄 罗宗南 崔一平 
国家自然科学基金资助项目 ( 6 0 0 76 0 0 2 );江苏省自然科学基金资助项目 ( BK990 0 4)
通过两种方法将有机小分子八羟基喹啉铝 (Alq3)嵌入到用阳极腐蚀法制备的多孔硅中。一是浸泡法 ,将新鲜的多孔硅浸泡于 Alq3的氯仿溶液中 ,通过物理吸附使 Alq3嵌入到多孔硅的纳米孔中 ;二是反应法 ,先将多孔硅浸泡于硫酸铝的水溶液中 ...
关键词：多孔硅 光致发光 八羟基喹啉 
多孔硅吸收光谱和反射光谱
《半导体光电》1997年第2期101-105,共5页徐伟弘 晁战云 汪开源 
测定了多孔硅的吸收光谱和反射光谱，结果发现其吸收边对应于可见光区域。同单晶硅相比，其吸收边发生了蓝移，并且吸收强烈。由多孔硅反射谱曲线。
关键词：多孔硅 特性测试 吸收光谱 反射光谱 
多孔硅深能级谱的测试
《固体电子学研究与进展》1997年第2期178-183,共6页晁战云 唐洁影 汪开源 
测试了几种不同条件下制备的多孔硅样品的深能级谱（DLTS）。结果发现，其深能级都处于禁带深处，其位置和相对浓度随样品不同而不同。对测得的谱线进行了计算和分析，并联系多孔挂的表面状态作了分析和讨论。
关键词：多孔硅 深能级谱 表面态 半导能带结构 
多孔硅反射谱的测量与分析
《固体电子学研究与进展》1997年第1期50-54,共5页晁战云 徐伟弘 唐洁影 江开源 
测量了多孔硅的光反射谱，并进行了分析和讨论，得出了其能带展宽等特性。利用K－K关系，计算得出了多孔娃的折射率n等光学常数，并结合单晶硅的相应光学常数进行了比较和分析．
关键词：多孔硅 K-K关系 反射谱 半导体能带结构 
多孔硅吸收光谱的研究
《固体电子学研究与进展》1996年第4期412-416,共5页晁战云 唐洁影 汪开源 
利用大电流剥离方法制备了多孔硅薄膜层，测定了其吸收光谱。结果发现其吸收边对应于可见光区域，同单晶硅吸收光谱相比，其吸收边发生了蓝移，并且吸收强烈。这说明多孔硅的能带结构较硅发生了改变，表现为一种新的能带结构特征。
关键词：多孔硅 吸收光谱 吸收系数 半导体能带结构 
多孔硅发光器件的设计与试验
《固体电子学研究与进展》1995年第4期352-355,共4页唐洁影 汪开源 
设计了多孔硅电致发光器件，讨论了工艺条件对器件Ｉ—Ｖ特性影响。试验中已观察到微弱的电致发光。认为利用多孔硅制备可见光发光器件是可行的。
关键词：多孔硅 发光器件 
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