云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 多量子阱激光器

多量子阱激光器: 作品数：42被引量：47H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：陈良惠贾华宇李灯熬彭宇恒刘式墉更多>>; 相关机构：中国科学院太原理工大学吉林大学中国科学院大学更多>>; 相关期刊：《电子学报》《红外与激光工程》《光子学报》《Science Bulletin》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划山西省自然科学基金铁道部科技基金更多>>

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激光器: 《电子科技文摘》2000年第8期20-21,共2页; Y2000-62210-75 0012604利用汽源分子束外延生长的1.3μm InAsP/GaInAsP/InGaP 应变饱和多量子阱激光器=1.3μm InAsP/GaInAsP/InGaP strain-compensated MQW lasersgrown by GSMBE[会,英]/Saito,K.& Shimizu,H.//Proceedings of 11th I...; 关键词：固态激光器垂直腔面发射激光器多量子阱激光器分子束外延生长光电子学最佳化收录论文会议录量子级联激光器半导体激光器

分子束外延生长多量子阱激光器的实验研究: 《半导体情报》1991年第6期76-78,共3页刘斌屠玉珍顾德英金志良方祖捷周均铭黄绮; 本文报道了GaAlAs/GaAs多量子阱激光器的实验结果。采用Zn扩散平面条形结构的6μm宽单条激光器,获得了线性输出功率大于100mW的良好结果,其阈值电流密度为2000A/cm^2,室温下特征温度大于400K。; 关键词：半导体激光器量子阱分子束外延

AlGaAs/GaAs多量子阱激光器被引量：1: 《中国激光》1990年第S1期84-87,共4页徐俊英李立康张敬明曾安傅方正陈良惠曾一平孙殿照孔梅影; 本文报道用国产分子束外延设备研制出波长为850nm AlGaAs/GaAs多量子阱激光器。室温阈值电流密度为980A/cm^2、条宽8μm的激光器最低室温阈值电流为28mA,线性输出功率大于15mW,单面量子微分效率约24％,具有良好的温度特性(温度从-35℃到...; 关键词：分子束外延量子阱激光器 ALGAAS/GAAS

GaAs/AlGaAs多量子阱激光器: 《Journal of Semiconductors》1989年第10期788-793,共6页张永航孔梅影陈良惠王启明; 国家自然科学基金; 用国产的分子束外延设备生长出多量子阱激光器结构,在室温下,其宽接触阈电流密度为3000A/cm^2,质子轰击条形器件单管最佳阈值电流为128mA,单面连续输出功率可大于22mw,在一定注入范围内可单纵模工作,最高单面微分量子效率达34％,激射波...; 关键词：分子束外延量子阱半导体激光器

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