绝缘栅

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基于FPGA的三相IGBT全桥式逆变电路建模仿真
《电力电子技术》2024年第9期31-34,共4页张俊楚 颜建军 张永明 
上海市科委项目(17DZ1201201)。
三相绝缘栅双极型晶体管(IGBT)全桥式逆变电路的电子电力建模及仿真在电机驱动领域中被广泛应用,其模型精度及计算效率可直接影响电机控制系统的可靠性。以往研究中大都只采用开通关断两种稳态过程切换,忽略了三相IGBT全桥式逆变电路高...
关键词：绝缘栅双极型晶体管 现场可编程门阵列 全桥式逆变电路 
新能源汽车单管IGBT结温估算关键技术研究
《电力电子技术》2024年第5期133-137,共5页陈兴钊 谢奇才 张旭 李圣哲 
深圳市创新创业专项(JSGG20210802154412036)。
这里设计了融合模型对单管绝缘栅双极型晶体管(IGBT)结温进行实时估计,基于双脉冲实验平台对单管IGBT进行测试,采集单管IGBT开通、关断、二极管反向恢复损耗,结合导通损耗,得到单管IGBT损耗模型;搭建热阻测试平台得到瞬态热阻曲线,结合...
关键词：绝缘栅双极型晶体管 损耗 结温 
基于Marx电路的固态高压脉冲电源设计被引量：1
《电力电子技术》2024年第2期11-13,74,共4页李霄翔 周洁敏 洪峰 陈梦瑶 
国家自然科学基金民航联合基金(U2233205)。
针对高压脉冲放电和低温等离子体应用的要求,设计了一种基于Marx电路的高重复频率的固态高压脉冲发生装置。该脉冲电源利用Marx电路电容并联充电、串联放电的原理,选取绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为放电开关,控制电路的模态切换。Marx...
关键词：高压脉冲电源 绝缘栅双极型晶体管 低温等离子体 
大容量变流器中IGBT关断过电压抑制技术研究被引量：3
《电力电子技术》2023年第10期13-16,38,共5页田安民 孙光淼 卢文兵 张雪珺 
国电南瑞科技股份有限公司科技项目(524608220173)。
随着抽蓄机组向着更大系统容量方向的发展,需要大容量的变流器与之配套,大容量变流器对高压、大容量绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的封装特性和电气性能也提出了更高要求,压接式IGBT具有高功率等级、易于功率阀组的搭建等优点,在大容量...
关键词：绝缘栅双极型晶体管 杂散电感 关断过电压 
随机森林模型在IGBT器件状态监测中的应用被引量：2
《电力电子技术》2023年第8期133-136,共4页周荔丹 李璟 姚钢 王杰 
国家自然科学基金(52077135)。
针对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块老化故障频发的问题,这里将优化随机森林模型应用于IGBT老化故障诊断系统中以实现IGBT器件的状态监测和老化故障预测。首先选定老化故障特征参数并进行数据预处理,建立老化故障诊断数据集。其次,建立...
关键词：随机森林模型 绝缘栅双极型晶体管 状态监测 老化故障 
IGBT小电流开通失效研究及结构改进被引量：1
《电力电子技术》2023年第7期134-136,共3页周东海 童颜 陈英毅 刘建 
国家电网有限公司总部管理科技项目资助(SGSXJX00AZJS2100176)。
对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在小电流开关测试失效进行了分析研究,对IGBT栅极和集电极的电压电流波形监测发现,IGBT在小电流开通时电压电流波形存在严重的振荡问题,电压幅值超过器件最大额定值,导致器件失效。分析了IGBT芯片电容和栅极...
关键词：绝缘栅双极型晶体管 开通失效 结构改进 
5 kA IGBT并联MMC子模块设计与试验验证被引量：1
《电力电子技术》2023年第6期36-39,共4页张磊 司志磊 夏克鹏 韩坤 
许继集团有限公司综合计划项目(529212210009)。
随着清洁能源的大规模开发,未来清洁能源基地的容量将普遍达到千兆瓦级及以上,这对柔直换流器容量提出更高要求。国家电网公司联合各换流阀厂家正在开展大容量柔性直流换流阀的研制,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件电流等级达到5 kA,并且...
关键词：模块化多电平换流器 绝缘栅双极型晶体管 并联 
随机PWM控制时IGBT的开关损耗分析被引量：1
《电力电子技术》2023年第5期130-132,共3页刘子慧 马家庆 
国家自然科学基金(62163006);智能机电装备设计与应用技术研究团队(2021YJTD04)。
在绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块中引入随机脉宽调制(PWM)控制时,开关损耗会得到有效降低。为分析这种控制方式作用于IGBT时其开关损耗降低的原因,针对其导通和关断过程中的开关损耗状况和在IGBT模块内部的能量损耗状态以及产热特性的...
关键词：绝缘栅双极型晶体管 开关损耗 随机脉宽调制 温升 
适用于柔性输电的压接型IGBT热应力特性分析
《电力电子技术》2023年第2期137-140,共4页张健 崔岩 郝捷 
交直流柔性输电技术的飞速发展,对压接型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件的可靠性要求进一步提高。各组件间的接触电阻与接触热阻是影响器件内部各芯片的压力分布以及温度分布的重要因素,而烧结银技术可以显著降低界面的接触电阻和接触热...
关键词：绝缘栅双极型晶体管 烧结银 应力分布 
基于变流器功率模块的主回路杂散电感分析
《电力电子技术》2023年第1期45-48,共4页刘阳 
中国国家铁路集团有限公司科技研究开发计划(L2021J001)。
基于硅器件的半导体开关技术,在电力电子各行业中广泛应用。绝缘栅双极型晶体管(IGBT)通常具有微秒级的开关速度,在开关过程中不可避免地产生较大的电流变化率。由于主回路杂散电感的存在,将在直流母线上产生感应电压,使母线上的器件承...
关键词：绝缘栅双极型晶体管 杂散电感 电压尖峰 功率模块 
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