单粒子烧毁

作品数：51被引量：82H指数：5
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相关作者：王颖唐本奇曹菲耿斌贾云鹏更多>>
相关机构：杭州电子科技大学西安电子科技大学哈尔滨工业大学西北核技术研究所更多>>
相关期刊：《电力电子》《装备环境工程》《微电子学与计算机》《核电子学与探测技术》更多>>
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栅场板型Ga_(2)O_(3)MOSFET器件单粒子烧毁仿真研究
《现代应用物理》2024年第3期120-131,共12页刘涵勋 汪柯佳 曹荣幸 韩丹 王祖军 曾祥华 薛玉雄 
强脉冲辐射环境模拟与效应全国重点实验室基金资助项目(SKLIPR2115)。
设计了1种抗单粒子烧毁(single event burnout,SEB)效应能力较强的栅场板型结构Ga_(2)O_(3)MOSFET器件,并与平面型结构进行了对比,采用基于计算机辅助设计(technology computer aided design,TCAD)的商用半导体器件仿真模拟软件研究了2...
关键词：Ga_(2)O_(3)金属氧化物半导体场效应晶体管 栅场板 单粒子烧毁 TCAD仿真 
300 MeV质子重离子加速器及电子器件单粒子效应试验研究
《现代应用物理》2024年第4期130-136,共7页沈志强 刘剑利 陈启明 肖一平 刘超铭 王天琦 
国家自然科学基金资助项目(12075069,12275061,62304102,62234007,62293522,U21A20503,U21A2071)。
300 MeV质子重离子加速器主要用于模拟空间环境中高能粒子辐照,探索高能粒子与材料、器件以及生命体的相互作用机理。该加速器主要由离子源、直线加速器、注入线、同步加速器、引出线和3个实验终端组成。自2022年11月验收以来,该加速器...
关键词：质子重离子加速器 高能粒子辐照 SiC功率MOSFET器件 栅极潜损伤 泄漏电流永久退化 单粒子烧毁 
SiC结势垒肖特基二极管的重离子单粒子效应被引量：3
《现代应用物理》2019年第1期54-58,共5页于庆奎 张洪伟 孙毅 梅博 魏志超 李晓亮 王贺 吕贺 李鹏伟 曹爽 唐民 
国家自然科学基金资助项目(11875068;11475256;61634008)
在100～600V偏压下,对600,1 200,3 300V的SiC结势垒肖特基二极管用加速器产生的氙(Xe)和钽(Ta)重离子进行了辐照实验。结果表明,器件漏电流随入射离子LET、注量及偏压的增加而增大,甚至出现了短路失效。分析认为,肖特基结局部被重离子破...
关键词：SIC 肖特基二极管 单粒子效应 单粒子烧毁 单粒子锁定 
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