键合强度

作品数：126被引量：254H指数：7
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基于湿法表面活化处理的InP/SOI晶片键合技术
《半导体光电》2018年第1期57-60,共4页宫可玮 孙长征 熊兵 
国家"973"计划项目(2014CB340002);国家"863"计划项目(2015AA017101)
为了实现集成硅基光源,研究了基于湿法表面处理的InP/SOI直接键合技术。采用稀释的HF溶液对InP晶片进行表面活化处理,同时采用Piranha溶液对SOI晶片进行表面活化处理,实现了二者的低温直接键合。分别采用刀片嵌入法和划痕测试仪对样品...
关键词：晶片键合 表面处理 键合强度 键合缺陷 
圆片键合强度测试方法分析被引量：1
《半导体光电》2007年第1期64-67,共4页聂磊 史铁林 廖广兰 汤自荣 
国家重大基础研究资助项目(2003CB716207);国家自然科学基金资助项目(50405033;50575078)
介绍了三种典型的圆片键合强度表现形式:抗拉强度、剪切强度和粘接强度。针对每种表现形式的特点,分析了相应的测试方法。抗拉和剪切强度以力为表征,主要的测试方法是一维直拉法,可测78.4 MPa强度以下的键合样件,但是测试样件制备要求...
关键词：圆片级封装 键合强度 测试 
InP/GaAs材料和器件的直接键合
《半导体光电》2004年第6期426-429,共4页谢生 陈松岩 王水菊 何国荣 林爱清 陈朝 
国家自然科学基金资助项目(60006004).
　采用三步法在GaAs衬底上实现InP材料的键合,通过X 射线光电子谱(XPS)对样品键合界面进行化学价态和深度分布分析。结果表明,键合温度小于450℃时,样品界面主要由三维氢键网络组成;大于450℃时界面处发生互扩散,Ⅴ族元素主要在界面处富...
关键词：直接键合 X-射线光电子谱 I-V特性 键合强度 探测器 
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