隔离沟槽

作品数：3被引量：11H指数：2
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相关机构：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司长鑫存储技术有限公司中芯国际集成电路制造(北京)有限公司上海华力微电子有限公司更多>>
相关期刊：《微细加工技术》《光电子技术》《液晶与显示》更多>>
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GaAs-LED阵列器件隔离沟槽的制备研究被引量：2
《光电子技术》2006年第4期246-249,共4页李佳 梁静秋 金霞 孔庆峰 侯凤杰 王维彪 
吉林省科技发展计划项目(20030513)
良好的电学和光学隔离能显著提高微LED阵列器件的亮度、分辨率等工作性能,高深宽比隔离沟槽的制备是决定电学隔离效果的关键。本文分析比较了各种制备工艺,选择湿法腐蚀工艺,使用了不同比例柠檬酸双氧水腐蚀液对G aA s进行了腐蚀,在二...
关键词：GAAS 发光二极管阵列 高深宽比结构 湿法腐蚀 
LED阵列的设计和制作工艺研究被引量：10
《液晶与显示》2006年第6期604-608,共5页梁静秋 李佳 王维彪 
吉林省科技发展计划项目(No.20030513)
根据Al GaInP外延片的结构特点设计了LED型微显示器件的主要结构。利用Markus-Christian Amann等人提出的模型对器件电流注入后的空间分布进行了简单的理论分析,总结出了像素元和上隔离沟槽的理想尺寸分别是16μm×16μm和2μm。简述了...
关键词：发光二极管阵列 微显示器件 隔离沟槽 湿法腐蚀 
发光二极管阵列中上隔离沟槽的设计与制备被引量：1
《微细加工技术》2005年第4期76-80,共5页金霞 梁静秋 李佳 赵莉娜 王维彪 
吉林省科技发展计划资助项目(20030513)
分析了发光二极管阵列上隔离沟槽的理想尺寸。采用湿法腐蚀方法对金属层、p-GaP层及多层AlGaInP进行了逐层腐蚀,完成了宽2μm深6μm的上隔离沟槽的制作。腐蚀后的上隔离沟槽边缘平整,其深度和宽度可以解决注入电流在相邻像素之间产生的...
关键词：微显示器件 发光二极管阵列 隔离沟槽 湿法腐蚀 欧姆接触 ALGAINP GAP 
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