微显示器件

作品数：15被引量：41H指数：3
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光学微腔调节顶发射单色绿光OLED微显示器件色纯度研究
《红外技术》2022年第7期652-658,共7页秦国辉 于晓辉 钱福丽 段瑜 杨启鸣 芶国汝 
云南省技术创新人才培养项目(2017HB111,2018CX069SQ)。
有机电致发光器件的发光颜色与色纯度在很大程度上受限于有机材料本身特性,而通过光学微腔效应可以从器件结构的改变来进行色纯度的调节。本文介绍了一种通过调节有机结构中空穴传输层和电子阻挡层厚度,从而改变器件微腔腔长,获得高纯...
关键词：OLED微显示器 绿光 色纯度 光学微腔 
高亮单色硅基LED微显示器件的制作被引量：3
《光电子技术》2017年第2期119-123,135,共6页杨洪宝 昌永龙 王健波 张白雪 
基于硅基有源驱动芯片和单色LED显示阵列芯片,利用光刻及沉膜工艺,在芯片上完成了640×480铟柱阵列的制备,之后采用回流焊、倒装焊工艺,实现了驱动芯片和显示芯片的互联。结果表明:采用倒装焊工艺可以实现硅基LED微显示器件的制作,具有...
关键词：硅基发光二极管 微显示 铟-铟倒装焊 单色 
高亮度顶发射单色绿光OLED微显示器件制备被引量：2
《红外技术》2015年第12期1022-1026,共5页段瑜 张筱丹 孙浩 朱亚安 王光华 宋立媛 于晓辉 万锐敏 季华夏 李亚文 
云南省应用基础研究重点项目;编号:2012FA004;昆明市产业创新发展重点项目;编号:2014-01-A-G-02-2006
通过采用高效磷光体系材料和顶发射有机发光结构,配合自有的SVGA060全数字信号电路系统架构CMOS硅基驱动电路,获得了发光峰位于535 nm的高亮度单色绿光、0.6英寸、800×600分辨率OLED微显示器件,最大亮度可达20000 cd/m^2。其起亮电压为...
关键词：高亮度绿光 OLED 微显示器件 
平板显示与混合信号集成电路设计研究室
《液晶与显示》2014年第6期900-900,共1页
南开大学电光学院平板显示与混合信号集成电路设计研究室成立于2013年8月份,隶属于南开大学,教育部光电信息科学重点实验室,教育部光电子工程中心和光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室。由原来的南开大学光电子薄膜器件与技术研究所...
关键词：集成电路设计 混合信号 平板显示 研究室 光电子薄膜器件 重点实验室 微显示器件 南开大学 
平板显示与混合信号集成电路设计研究室
《液晶与显示》2014年第5期715-715,共1页
南开大学电光学院平板显示与混合信号集成电路设计研究室成立于2013年8月份，隶属于南开大学，教育部光电信息科学重点实验室，教育部光电子工程中心和光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室。由原来的南开大学光电子薄膜器件与技术研...
关键词：集成电路设计 混合信号 平板显示 研究室 光电子薄膜器件 重点实验室 微显示器件 南开大学 
硅基OLED微显示技术的优势与发展现状被引量：12
《集成电路应用》2012年第9期20-22,共3页张积梅 吴玉琦 刘畅 
硅基OLED微显示器件以单晶硅芯片为基底,像素尺寸为传统显示器件的1/10。基于其技术优势和广阔的应用市场,它有望在军事以及消费类电子领域掀起近眼显示的新浪潮。
关键词：微显示技术 OLED 优势 硅基 微显示器件 像素尺寸 电子领域 硅芯片 
微显示器件的研究进展被引量：14
《光机电信息》2010年第12期21-27,共7页梁静秋 
吉林省科技发展项目(批准号:20100351)资助项目
微小显示和虚拟显示研究得比较多的显示器件有微CRT、LCD、OLED、微LED、LCOS、MEMS等,由于原理不同,每一种微显示器工作的场合和环境也不同,各种器件各有用武之地。LED型微显示器件作为一种全固体的主动发光器件,拥有许多优点:工作电...
关键词：微显示器件 CRT LCD OLED LCOS MEMS 
颜色性能改进的QVGAAMEL微显示器件
《光电技术》2007年第2期29-30,40,共3页卢有祥（译自） 季旭东（校对） 
彩色有源矩阵电致发光微显示器件具有高亮度，低功耗，每种基色有256级灰度的优点，其新的薄膜结构，使得散射向邻近象素的光减少了，从而提高了颜色质量。
关键词：微显示器件 颜色质量 性能改进 电致发光 有源矩阵 薄膜结构 高亮度 低功耗 
微显示器件中的边缘场效应及其改善方法被引量：1
《液晶与显示》2006年第6期625-629,共5页刘绍锦 凌志华 
国家"973"资助项目(No.2003CB314704)
边缘场效应在微显示中的影响是比较显著的,它会使图像质量下降。为了进一步研究这一现象,建立了液晶模型。通过对液晶模型的数值计算,模拟出几种常用显示模式下的边缘场效应,分析了不同模式下边缘场效应产生机理及其影响因素。通过采用...
关键词：微显示 边缘场效应 混合排列模式 
LED阵列的设计和制作工艺研究被引量：10
《液晶与显示》2006年第6期604-608,共5页梁静秋 李佳 王维彪 
吉林省科技发展计划项目(No.20030513)
根据Al GaInP外延片的结构特点设计了LED型微显示器件的主要结构。利用Markus-Christian Amann等人提出的模型对器件电流注入后的空间分布进行了简单的理论分析,总结出了像素元和上隔离沟槽的理想尺寸分别是16μm×16μm和2μm。简述了...
关键词：发光二极管阵列 微显示器件 隔离沟槽 湿法腐蚀 
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