硅外延片

作品数：64被引量：74H指数：5
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200 mm超厚层IGBT用硅外延片滑移线控制被引量：2
《半导体技术》2022年第2期122-125,151,共5页袁肇耿 刘永超 张未涛 高国智 赵叶军 
重点探究了直径200 mm超厚层硅片滑移线的影响因素以及控制方法。使用平板硅外延炉加工超厚层外延片,并使用颗粒测试仪SP1和光学干涉显微镜表征滑移线。从热应力是滑移线的主要成因出发,通过对衬底和基座背面凹槽的设计以及升温曲线的...
关键词：高压IGBT 外延 滑移线 平板硅外延炉 凹槽深度 
300mm直径硅外延片均匀性控制方法被引量：1
《半导体技术》2021年第12期942-945,991,共5页吴会旺 刘建军 米姣 薛宏伟 袁肇耿 
河北省博士后择优资助项目(B2019005002)。
随着摩尔定律的逐步实现,大直径硅片的应用规模逐渐扩大,然而,大直径硅外延片的片内均匀性成为了外延的主要问题之一。使用具有五路进气结构的单片外延炉生长300 mm直径硅外延片。相对于传统的三路进气结构,五路进气可以分别对硅片表面...
关键词：300 mm直径 硅外延片 五路进气结构 厚度均匀性 电阻率均匀性 
衬底去边宽度对高阻厚层硅外延片参数的影响
《半导体技术》2021年第11期875-880,886,共7页米姣 张涵琪 薛宏伟 袁肇耿 吴会旺 
硅外延片的参数受衬底以及外延层两方面影响,研究了衬底背面SiO_(2)层边缘去除宽度(简称去边宽度)对高阻厚层硅外延片参数的影响。对比0、0.3和0.5 mm三种去边宽度硅外延片的参数发现,去边宽度对外延层厚度不均匀性没有影响,对外延层电...
关键词：去边宽度 高阻厚层硅外延片 不均匀性 滑移线 击穿电压 
维护周期对8英寸薄层Si外延片性能的影响被引量：1
《半导体技术》2020年第11期874-879,904,共7页米姣 薛宏伟 袁肇耿 吴晓琳 张佳磊 张双琴 石巧曼 
河北省科技重大专项资助项目(19010206Z)。
研究了采用某款单片外延设备批量生长8英寸(1英寸=2.54 cm)薄层Si外延片时芯片性能参数的变化。研究发现随着设备预防性维护(PM)后使用天数的增加,外延层厚度不均匀性变化很小,电阻率不均匀性逐渐增大,边缘过渡区逐渐加长,注入反应腔室...
关键词：薄层硅外延片 电阻率 过渡区 击穿电压 不均匀性 维护周期 
重掺As衬底上超高阻薄层硅外延片的制备被引量：3
《半导体技术》2020年第3期200-205,共6页薛宏伟 米姣 袁肇耿 王刚 张志勤 
超高阻薄层硅外延片可用于制备光电探测器的二极管、瞬态电压抑制二极管等分立器件。利用E200型单片外延炉在直径为150 mm的重掺As硅单晶衬底上制备了参数可控且均匀性高的外延层。采用多次本征生长技术,在重掺As硅衬底边缘形成掺杂原...
关键词：硅外延片 超高阻 多次本征工艺 低温外延 无HCl抛光 电阻率不均匀性 
200 mm硅外延片厚度和电阻率均匀性工艺调控被引量：5
《半导体技术》2018年第12期923-929,948,共8页李明达 
研究了影响垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS)器件用200mm硅外延片厚度和电阻率等参数均匀性的关键因素。采用Centura型常压单片式外延炉,系统研究了生长温度、温度梯度、载气流量以及自掺杂抑制措施对200mm外延层表面质量、厚度、电阻率...
关键词：硅外延片 电阻率 晶体缺陷 均匀性 垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS) 
8英寸薄层硅外延片的均匀性控制方法被引量：9
《半导体技术》2017年第7期531-535,560,共6页张志勤 袁肇耿 薛宏伟 
8英寸(1英寸=2.54 cm)薄层硅外延片的不均匀性是制约晶圆芯片良率水平的瓶颈之一。研究了硅外延工艺过程中影响薄外延层厚度和电阻率均匀性的关键因素,在保证不均匀性小于3%的前提下,外延层厚度和电阻率形成中间低、边缘略高的"碗状"分...
关键词：8英寸硅外延片 薄层外延 外延层厚度 电阻率 不均匀性 “碗状”分布 
双层硅外延片在大功率器件中的应用被引量：5
《半导体技术》1998年第4期40-43,共4页谢夏云 
主要介绍了具有双层杂质浓度分布的硅外延片在改善或消除雪崩注入二次击穿、改善大电流特性以及改善高频特性等方面所起的重要作用，并介绍了具体工艺方法。
关键词：双层杂质浓度 硅外延片 大功率器件 
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