发光研究

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阴极射线电子激发下Sr5(PO4)3Cl:Eu^2+蓝色荧光粉的发光研究
《科学通报》2003年第10期1027-1029,共3页李岚 杨瑞霞 杜仲 邹开顺 张晓松 
天津市自然科学基金;天津市教委基金;天津市教委“材料物理与化学”重点学科资助项目.
Eu2+激发的氯磷酸锶荧光粉一直是一种传统的灯用荧光粉, 合成了蓝色荧光粉Sr5(PO4)3Cl:Eu2+, 并研究了在电子激发下的发光特性, 此外还对碱土金属Ca2+, Ba2+等共同掺杂之后对发光性能的影响及原因进行了分析, 当在中-低电压工作下, 对...
关键词:场发射显示器 阴极射线激发 蓝色发光 电流饱和 铒离子掺杂 光谱特征 结构特征 
芴与二噻基苯并噻二唑共聚物的电致发光和光致发光研究被引量:3
《科学通报》2002年第16期1233-1236,共4页彭俊彪 许怡赦 侯琼 牛于华 曹镛 阮文英 
国家自然科学基金(批准号:29992530-6);广东省科委(批准号:990623);高等教育部留学回国人员科研启动基金资助项目
使用自已实验室合成的9,9-二辛基芴与 4,7-二噻基苯并噻二唑系列共聚物(1%DBT,5%DBT,10%DBT,15%DBT,25%DBT),采用双层结构制备了高效率饱和红色聚合物发光二极管(PLEDs).器件的外量子效率接近1.4%(15%DBT共聚物),流明效率...
关键词:电致发光 光致发光 二噻基苯并噻二唑 共聚物 双层结构 发光二极管 量子效率 9 9-二辛基芴 发光材料 
掺Mn^(2+)离子纳米非晶SiO_2发光研究
《科学通报》1997年第23期2567-2570,共4页李小毛 牟季美 姚连增 蔡维理 李远红 张立德 
国家重大基础研究"攀登"基金;国家自然科学基金资助项目
关于Mn^(2+)离子的发光性质研究已有很多报道,它们一般都集中在无机玻璃中,并对发光机理进行了分析。但对掺Mn^(2+)离子在纳米非晶SiO_2发光行为尚未见报道,本文运用溶胶凝胶法制备出掺Mn^(2+)离子纳米非晶SiO_2,测量其荧光光谱,当激发...
关键词:锰离子 发光机理 二氧化硅 纳米材料 
重掺碳砷化镓的光致发光研究
《科学通报》1994年第24期2235-2237,共3页严北平 罗晋生 章其麟 
军事电子预研基金资助项目
异质结双极晶体管(HBT)利用宽禁带材料作发射区来允许基区重掺杂以减小基区电阻且不降低直流电流增益.基区重掺杂会干扰半导体的能带结构,从而影响器件的光学性质和电学性能.Klausmeier-Brown等通过电学测量已证实:由于基区重掺杂使...
关键词:砷化镓 光致发光 双极晶体管  
非晶态硒化镉薄膜的时间分辨光电导和光致发光研究被引量:1
《科学通报》1994年第8期693-695,共3页郭亨群 叶天水 
国家自然科学基金;福建省自然科学基金
硒化镉薄膜在光敏电阻、太阳能电池、薄膜晶体管和微波放大器等方面有着广泛的应用,受到人们的重视.非晶态硒化镉(α-CdSe)材料的无序网络结构只具有短程有序性.缺乏长程有序性,其能带结构不同于晶态硒化镉,所以α-CdSe薄膜具有独特的...
关键词:硒化镉 光电导 光致发光 薄膜 
C_(60)的光致发光研究被引量:4
《科学通报》1994年第1期24-27,共4页孙润光 李多禄 金长清 张新夷 蔡志岗 
中国科学院长春物理研究所激发态物理开放实验室资助课题
由全碳组成的笼状簇合物(fullerene富勒烯)是不同于石墨,金刚石的碳的新的形态.其中具有截角正20面体结构的C_(60)是在合成富勒烯中采率最高的一种.采用不同的方法分析和计算,C_(60)固体(指FCC结构)的禁带宽度不相同,其值在2.6—1.5eV之...
关键词:光致发光 碳60 喇曼散射 
用瞬态光致发光研究非对称双量子阱隧穿过程
《科学通报》1993年第19期1746-1749,共4页黄旭光 蔡志岗 李庆行 余振新 王太宏 梅笑冰 杨国桢 
高等学校博士点专项科研基金
半导体量子阱超晶格结构的载流子除了具有平行于阱层界面的纵向运动(纵向输运)外,还具有垂直于界面方向的横向运动(横向输运)。横向运动需要穿过势垒阻挡层,因此又称为载流子的隧道穿透效应(Tunneling,简称隧穿)。自从1973年Esaki和Tsu...
关键词:量子阱 隧穿过程 光致发光 半导体 
ESR,Raman和光致发光研究聚并苯导电材料
《科学通报》1992年第14期1265-1268,共4页刘益春 邢旭 
近年来,合成了许多含有π键共轭体系的有机导电聚合物,但大部分材料在空气中稳定性差,因而限制了它们在实际中的应用。聚并苯导电材料不仅在空气中具有较好的稳定性和宽的电导率范围,而且可进行N型或P型掺杂,而使导电率提高十几个量级。
关键词:聚并苯 导电材料 结构模型 ESR 
中子辐照CZ硅中缺陷的光致发光研究
《科学通报》1992年第11期1051-1052,共2页李伟 刘彩池 徐岳生 
国家自然科学基金
一、引言 近年来,随着缺陷工程的发展,有关CZ硅辐照缺陷的研究得到了极大的关注。中子辐照缺陷,一方面可起到提高半导体器件抗辐射能力的作用;另一方面可抑制器件加工过程中有害缺陷的生成。目前,光致发光(PL)作为表征半导体材料的一种...
关键词:中子辐照 CZ硅 光致发光 缺陷  
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