反应气体

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基于硅靶和碳化硅靶的碳化硅薄膜磁控溅射工艺对比
《表面技术》2021年第9期134-140,共7页杨梦熊 惠迎雪 
国家重点研发计划-政府间科技创新合作重点专项(2018YFE0199200);西安市科技创新引导项目(201805031YD9CG15);西安市科技计划项目(201805031YD9cG15(6))。
目的通过基于碳化硅陶瓷靶的直接溅射和基于硅靶与甲烷的反应溅射,在Si(100)基底上沉积碳化硅薄膜,对比两种工艺制备碳化硅薄膜的异同。方法采用直接磁控溅射与反应磁控溅射工艺制备碳化硅薄膜,通过白光干涉仪、轮廓仪、X光电子能谱仪(X...
关键词：磁控溅射 碳化硅 沉积速率 表面粗糙度 反应气体 
涂层衬底的生产方法
《表面技术》2008年第2期55-55,共1页
本发明涉及一种方法，用于生产以材料处理的衬底，依此法：a）至少一个衬底被送入到一个抽空的真空接受器（真空室）中；b）待处理的衬底表面被曝露在一种反应气体下，反应气体被吸附在衬底表面上；C）结束衬底表面在反应气体下曝露；d...
关键词：衬底表面 生产方法 等离子体放电 反应气体 涂层 等离子体产生 电子能量 材料处理 
改善晶圆表面平坦度的方法
《表面技术》2008年第1期53-53,共1页
本发明揭示一种改善晶圆表面平坦度的方法，适用在一晶圆上以化学气相沉积法（chemical vapor deposition，CVD）沉积复数层的薄膜，包括：一晶圆；将晶圆置入一第一薄膜沉积设备中，以化学气相沉积法沉积一第一层薄膜，其中第一薄膜沉...
关键词：平坦度 晶圆 化学气相沉积法 表面 沉积设备 反应气体 薄膜 入口 
氮化镓薄膜制备技术及专用装置
《表面技术》2006年第3期47-47,共1页
本发明公开了一种氮化镓薄膜的制备方法和专用设备，它以高纯镓和氮气作源泉物质，采用双流供气方式，向沉积区输送经过离化的具有化学活性的反应气体，在较低温度（500～600℃）下，通过载能镓离化团簇束和N^＋离子束直接在衬底进行化...
关键词：氮化镓薄膜 专用装置 制备技术 化学活性 SI衬底 专用设备 制备方法 供气方式 反应气体 晶体薄膜 
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