放肩

作品数：10被引量：15H指数：3
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基于Borderline-SMOTE-LightGBM的直拉硅单晶放肩断棱预测
《制造业自动化》2023年第11期172-177,共6页韩金星 
随着集成电路技术的飞速发展,硅单晶作为最重要的半导体材料,对其品质的要求也日益提升。在多场耦合的复杂高温高压环境下,直拉硅单晶的生长过程具有明显的非线性特征,难以建立准确的机理模型,同时硅单晶生产数据存在类别不平衡问题。...
关键词：硅单晶 不平衡数据 过采样 集成学习 
VB法生长CdZnTe晶体的放肩角度优化
《激光与红外》2023年第10期1555-1561,共7页上官旻杰 袁文辉 梁红昱 汪帅 饶吉磊 万佳琪 黄立 
基于有限元法构建了CdZnTe晶体生长模型,分析了不同放肩角度下固液界面的形态演变。模拟结果表明,放肩角度变化导致了放肩区域内温度梯度分布的变化,进而改变了该区段的固液界面形态。在60°/90°/120°/150°四种放肩角度中,120°能在...
关键词：碲锌镉晶体 垂直布里奇曼法 放肩角度 数值模拟 生长固液界面 
LEC法生长高质量6英寸InP单晶被引量：3
《半导体技术》2020年第8期617-622,651,共7页邵会民 孙聂枫 张晓丹 王书杰 刘惠生 孙同年 康永 
国家自然科学基金面上项目(51871202);国家自然科学青年基金资助项目(51401186)。
制备大直径单晶是降低器件成本的重要手段之一。对于制备大尺寸半绝缘InP单晶而言,由于其需要在高温高压环境下生长,随着热场尺寸的增大,炉体中气氛以及熔体中的对流增大,因而易产生孪晶和多晶。采用液封直拉(LEC)技术,通过多温区热场...
关键词：INP单晶 液封直拉(LEC)法 温度梯度 位错密度 平缓放肩工艺 
基于MIC的Cz单晶硅放肩阶段关键特征参数辨识被引量：3
《人工晶体学报》2020年第4期607-612,共6页赵华东 翟晓彤 田增国 李欣鸽 
智能制造综合标准化与新模式应用项目。
直拉单晶硅生长过程中放肩阶段常由于断棱的出现导致无法顺利进入等径生长。为研究影响断棱的关键特征参数,提出采用最大互信息系数法(MIC)辨识直拉单晶硅放肩阶段关键特征参数。分别采用最大互信息系数法(MIC)、层次分析法(AHP)计算特...
关键词：最大互信息系数 直拉单晶硅 放肩阶段 层次分析法 关键特征参数 
一种籽晶轴温度梯度调节结构设计优化研究
《中国新技术新产品》2020年第6期36-38,共3页张国华 
蓝宝石晶体在生长的过程中,热场的温度分布是影响晶体产品质量的关键因素,尤其是籽晶部位的温度梯度,合适的籽晶轴径向温度梯度可以保证良好的晶体放肩生长。基于此,该文从机械结构角度入手对单晶炉籽晶温度梯度调节的影响进行了分析,...
关键词：单晶炉 籽晶轴 温度梯度 蓝宝石 晶体生长 放肩 
籽晶边长对SAPMAC法蓝宝石晶体放肩阶段生长质量的影响
《材料导报》2017年第A01期125-128,134,共5页姜汉坤 金培鹏 吕进 张树波 
青海省重大科技专项(2016-GX-A2)
温度场的控制是蓝宝石生长过程关键技术问题。采用有限元方法研究了冷心放肩微量提拉法蓝宝石单晶生长过程中籽晶的边长对晶体生长放肩阶段温度场内温度分布、流场分布和晶体的等效应力分布的影响。结果表明:当籽晶边长为24mm时,放肩阶...
关键词：蓝宝石单晶 籽晶边长 数值模拟 籽晶断裂 晶体粘锅 冷心放肩微量提拉法 
LEC法GaSb晶体生长数值模拟研究被引量：1
《压电与声光》2016年第5期799-803,共5页李璐杰 程红娟 张颖武 于凯 
总装预研基金资助项目
采用有限元模拟软件对液封直拉(LEC)法生长锑化镓晶体过程进行计算机建模。模拟分析了晶体旋转、坩埚旋转及隔热屏等因素对GaSb固-液界面形貌的影响。结果表明,晶体旋转与坩埚旋转分别具有促使凸向熔体的固-液界面曲率减小及增大的作用...
关键词：液封直拉法(LEC) 固-液界面 强制对流 液封剂 放肩角度 隔热屏 坩埚位置 
HP-LEC法InP单晶生长的引晶、放肩过程研究被引量：1
《半导体技术》2013年第11期840-844,850,共6页李玉茹 黄清芳 李晓岚 邵会民 史艳磊 孙聂枫 
国家科技重大专项资助项目(2011ZX01006-001);国家自然科学基金资助项目(61076004)
摘要：利用自制高压单晶炉内采用高压液封直拉技术（HP—LEC）研究了〈100〉InP晶体生长过程中引晶和放肩阶段的控制等因素对单晶生长的影响。采用平放肩工艺进行了3～4英寸（1英寸=2．54cm）InP单晶的生长。通过多次实验，可重复生长...
关键词：直径4英寸 INP单晶 平放肩 孪晶 高压液封直拉技术 
直拉硅单晶放肩过程的有限元数值模拟与控制参数研究被引量：6
《人工晶体学报》2013年第1期58-64,共7页张晶 刘丁 赵跃 焦尚彬 
国家科技重大专项(2009ZX02011001);教育部科学技术研究重点项目资助项目(212169)
放肩是直拉法生长硅单晶保持无位错生长的过程,是晶体能够顺利进入等径生长的关键。生产实践中发现,在放肩前段经常出现液流线切入晶体随之变晶的现象。本文提出了放肩前期的变晶转拉晶工艺,采用有限元数值模拟的方法计算出熔体热对流...
关键词：直拉硅单晶 放肩 晶转 有限元数值模拟 
直拉法生长锗单晶的水平放肩工艺实践被引量：2
《云南冶金》2002年第6期36-38,共3页陈燕 
详细介绍了水平放肩工艺措施的技术特点,及其在锗单晶生产中的应用效果。并与常规的慢拉放肩工艺进行了比较。
关键词：水平放肩 慢拉放肩 锗单晶 生产运用 
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