INP单晶

作品数：27被引量：24H指数：4
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相关作者：孙聂枫孙同年杨瑞霞李晓岚段满龙更多>>
相关机构：中国电子科技集团第十三研究所中国科学院河北工业大学北京有色金属研究总院更多>>
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VGF法中降温速率对InP单晶生长的影响
《半导体技术》2023年第11期985-990,1019,共7页赵兴凯 叶晓达 李世强 韦华 赵茂旭 杨春柳 孙清 
云南省重大科技专项计划省市一体化专项(202202AH080009)。
垂直梯度凝固(VGF)法生长磷化铟(InP)单晶时产生的缺陷主要有孪晶、位错、多晶等,这些缺陷严重影响了InP单晶的产量与品质。首先简述了VGF法生长InP单晶过程中容易产生的主要缺陷,然后通过实验对各生长阶段的降温速率进行调整,成功改善...
关键词：磷化铟 垂直梯度凝固(VGF)法 降温速率 孪晶 位错 缺陷 
VGF法生长InP单晶循环水的影响分析被引量：1
《云南化工》2022年第10期24-28,共5页叶晓达 赵兴凯 韩家贤 韦华 王顺金 邱锋 柳廷龙 刘汉保 黄平 
磷化铟与砷化镓同为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,广泛应用于光通信、微波毫米波通信等领域。由于垂直温度梯度凝固(VGF)技术中,晶体受到的温度梯度小,能生长出低位错,甚至零位错的单晶,而被广泛应用于磷化铟单晶的制备中。影响磷化铟单晶...
关键词：垂直温度梯度凝固技术 INP单晶 循环水 水流量 温度 
LEC法生长高质量6英寸InP单晶被引量：3
《半导体技术》2020年第8期617-622,651,共7页邵会民 孙聂枫 张晓丹 王书杰 刘惠生 孙同年 康永 
国家自然科学基金面上项目(51871202);国家自然科学青年基金资助项目(51401186)。
制备大直径单晶是降低器件成本的重要手段之一。对于制备大尺寸半绝缘InP单晶而言,由于其需要在高温高压环境下生长,随着热场尺寸的增大,炉体中气氛以及熔体中的对流增大,因而易产生孪晶和多晶。采用液封直拉(LEC)技术,通过多温区热场...
关键词：INP单晶 液封直拉(LEC)法 温度梯度 位错密度 平缓放肩工艺 
InP单晶材料性能及制备方法被引量：2
《电子工业专用设备》2018年第4期36-41,共6页张伟才 韩焕鹏 杨静 
介绍了InP单晶材料的特性、应用方向及制备的主要方法,主要包括液封直拉技术(LEC)、气压控制直拉技术(VCZ/PC-LEC)、垂直梯度凝固技术(VGF)、垂直布里奇曼技术(VB)等。通过对各种生长方法进行对比,指出了各种方法的优势和不足,最后探讨...
关键词：InP单晶材料 液封直拉法 气压控制直拉法 垂直梯度凝固 
4 inch低位错密度InP单晶的VGF生长及性质研究被引量：4
《人工晶体学报》2017年第5期792-796,共5页赵有文 段满龙 卢伟 杨俊 董志远 刘刚 高永亮 杨凤云 王风华 王俊 刘京明 谢辉 王应利 卢超 
采用高压垂直温度梯度凝固法(VGF)生长了非掺、掺硫和掺铁的4 inch直径(100)InP单晶,获得的单晶的平均位错密度均小于5000 cm^(-2)。对4 inch InP晶片上进行多点X-射线双晶衍射测试,其(004)X-射线双晶衍射峰的半峰宽约为30弧秒且分布均...
关键词：磷化铟(In P) 垂直温度梯度凝固(VGF) 孪晶 组份过冷 
LEC法生长富磷掺铁InP单晶晶格应变与残留应力研究被引量：1
《人工晶体学报》2014年第4期743-747,共5页陈爱华 杨瑞霞 杨帆 刘志国 孙聂枫 
国家自然科学基金(61076004);高等学校博士学科点专项科研基金(20101317110001)
运用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的InP熔体,并利用液封直拉法(LEC)生长出了3英寸富磷掺Fe的InP单晶。运用高分辨率X射线衍射技术、偏振差分透射谱测试技术、光致荧光谱技术对富磷掺Fe的InP晶片进行了结构、应力及发光特性...
关键词：磷化铟 液封直拉法 晶格应变 残留应力 
富磷熔体生长InP单晶的均匀性研究被引量：4
《人工晶体学报》2014年第3期497-501,共5页杨帆 杨瑞霞 陈爱华 孙聂枫 刘志国 李晓岚 潘静 
国家自然科学基金(61076004);高等学校博士学科点专项科研基金(20101317110001)
采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的磷化铟(InP)熔体,并利用液封直拉法(LEC)生长出了掺硫及掺铁单晶材料。分别用快速扫描光荧光谱技术(PL-Mapping)、扫描电镜和傅里叶红外光谱对富磷单晶样品进行了研究。结果表明,在富磷条...
关键词：磷化铟 富磷 液封直拉法 缺陷 
HP-LEC法InP单晶生长的引晶、放肩过程研究被引量：1
《半导体技术》2013年第11期840-844,850,共6页李玉茹 黄清芳 李晓岚 邵会民 史艳磊 孙聂枫 
国家科技重大专项资助项目(2011ZX01006-001);国家自然科学基金资助项目(61076004)
摘要：利用自制高压单晶炉内采用高压液封直拉技术（HP—LEC）研究了〈100〉InP晶体生长过程中引晶和放肩阶段的控制等因素对单晶生长的影响。采用平放肩工艺进行了3～4英寸（1英寸=2．54cm）InP单晶的生长。通过多次实验，可重复生长...
关键词：直径4英寸 INP单晶 平放肩 孪晶 高压液封直拉技术 
非接触四波混频技术测试InP单晶
《半导体技术》2011年第2期97-100,共4页潘静 孙聂枫 朱嘉祯 杨瑞霞 李晓岚 杨帆 骆新江 
国家自然基金(61076004);浙江省公益技术研究工业项目(2010C31118)
利用四波混频(FWM)技术测试了非掺杂、掺Fe半绝缘InP单晶的光电特性,对载流子的产生、复合和输运等过程进行了研究,分析了深陷阱在载流子的产生与输运中的作用,并给予了解释。利用光栅衰减动力学得到在不同激发水平下非平衡自由载流子...
关键词：磷化铟 晶体 四波混频 深陷阱 载流子动力学 
InP单晶的磁光和热电效应被引量：1
《半导体技术》2011年第1期1-3,44,共4页潘静 李晓岚 杨瑞霞 孙聂枫 
国家自然基金资助项目(61076004)
对同一原生非掺杂InP单晶进行了一系列物理测试分析，研究了材料的光电导率与温度的依从关系，在295～318K内，温度系数为-3×10^-4eV／K，测得的室温禁带宽度为1．3392eV。禁带宽度Eg的磁性系数为8．6×10^-4eV／T，材料的磁光特性测...
关键词：磁光电导率 霍尔效应 塞贝克效应 磷化铟 有效质量 
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