高K材料

作品数：29被引量：44H指数：4
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：赵超王桂磊沈应中王黎君李俊峰更多>>
相关机构：复旦大学中国科学院微电子研究所中芯国际集成电路制造(上海)有限公司西安电子科技大学更多>>
相关期刊：《微电子学》《半导体技术》《物理学报》《热加工工艺》更多>>
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原位XPS分析Al_2O_3作为势垒层的Er_2O_3/Si结构被引量：2
《半导体技术》2017年第5期394-399,共6页高宝龙 买买提热夏提.买买提 亚森江.吾甫尔 阿布都艾则孜.阿布来提 
国家自然科学基金资助项目(61366001;61464010;61604126)
在超高真空条件下,通过脉冲激光沉积(PLD)技术制作了Er_2O_3/Al_2O_3/Si多层薄膜结构,原位条件下利用X射线光电子能谱(XPS)研究了Al_2O_3作为势垒层的Er_2O_3与Si界面的电子结构。XPS结果表明,Al_2O_3中Al的2p芯能级峰在低、高温退火前...
关键词：脉冲激光沉积(PLD)技术 Er2O3薄膜 AL2O3薄膜 X射线光电子能谱(XPS) 高K材料 
高k材料用作纳米级MOS晶体管栅介质薄层(下)
《半导体技术》2008年第2期93-97,共5页翁妍 汪辉 
国家自然科学基金(NSFC60606015);上海市浦江人才计划资助项目(05PJ14068)
随着45 nm及32 nm技术节点的来临,高介电常数(high-k)材料成为代替SiO2作为栅介质薄层材料的较好选择,但是大多数高k材料是离子金属氧化物,其基本物理性能和材料特性不仅导致了很多不可靠因素,还会造成电学性能的损失。简述了高k材料的...
关键词：栅介质薄层 高介电常数 电学结果 
高k材料用作纳米级MOS晶体管栅介质薄层(上)
《半导体技术》2008年第1期1-5,共5页翁妍 汪辉 
国家自然科学基金(NSFC60606015);上海市浦江人才计划项目(05PJ14068)
随着45 nm和32 nm技术节点的来临,传统的SiO2作为栅介质薄膜材料的厚度需缩小到1 nm之下,材料的绝缘性、可靠性等受到了极大的挑战,已不能满足技术发展的要求。高k材料成为代替SiO2作为栅介质薄层材料的不错选择,但是大多数高k材料是离...
关键词：栅介质薄层 高介电常数 可靠性 
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