雪崩光电二极管

作品数：404被引量：890H指数：15
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：陈钱廖常俊许金通高新江赵彦立更多>>
相关机构：中国科学院浜松光子学株式会社中国科学院大学中国科学技术大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=光学学报x
共 条 记 录，以下是1-7
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
无电荷层InGaAs/Si雪崩光电探测器的优化设计被引量：2
《光学学报》2024年第5期19-28,共10页张娟 姚儿 柯少颖 
目前,在近红外波段中普遍采用InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD),但这类APD存在增益带宽积小和等效噪声高等问题,而InGaAs/Si APD采用电子、空穴离化系数极低的Si材料作为倍增层,在一定程度解决了上述问题,但其制造过程涉及Si电荷层的离子...
关键词：探测器 雪崩光电二极管 增益带宽积 电荷层 凹槽环 
共聚焦激光显微内窥成像中PMT与APD探测器性能对比分析
《光学学报》2023年第11期164-172,共9页侯冠廷 徐宝腾 周伟 刘家林 郭立泉 杨西斌 
国家重点研发计划(2021YFC2400100);苏州市基础研究计划(szs2020308,SJC2022009)。
共聚焦激光显微内窥镜(CLE)可以进行在体组织显微成像,实现实时病理学诊断,而光电探测器作为CLE系统的核心部件,影响共聚焦图像质量。对比分析光电倍增管(PMT)和雪崩光电二极管(APD)在CLE中的性能表现,建立基于PMT和APD探测电路的CLE成...
关键词：医用光学 共聚焦激光显微内窥镜 荧光成像 在体内窥 雪崩光电二极管 光电倍增管 
高耐压和低暗计数SiC紫外雪崩光电二极管被引量：5
《光学学报》2023年第3期1-6,共6页杨成东 夏开鹏 马文烨 高晏琦 郁智豪 苏琳琳 
国家自然科学基金(62106111);无锡学院引进人才科研启动项目(2021r011,2021r012)。
碳化硅(SiC)雪崩光电二极管(APD)是一种独具优势的微弱紫外光探测器,其过偏压承受能力是确保器件可靠工作的一个重要因素。本工作设计并制备了穿通型SiC吸收层电荷控制层雪崩倍增层分离(SACM)APD。基于这种结构,器件电场从雪崩倍增层向...
关键词：探测器 雪崩光电二极管 碳化硅 微弱紫外光探测器 暗计数 过偏压承受能力 
倍增层厚度对In0.53Ga0.47As/InP雪崩二极管器件特性的影响被引量：8
《光学学报》2020年第18期10-14,共5页王航 袁正兵 谭明 顾宇强 吴渊渊 肖清泉 陆书龙 
国家重点研发计划(2018YFB2003305);国家自然科学基金(61534008,61774165,61704186);江苏省重点研发计划(BE2018005);中国科学院科技服务网络计划项目(KFJ-STS-ZDTP-086);纳米所自有资金项目(Y8AAQ11003)。
利用Zn扩散方法制备了倍增层厚度为1.5,1.0,0.8μm的In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管(APDs),研究了该器件特性。随着倍增层厚度的增加,器件的贯穿电压和击穿电压均呈现增大趋势。基于Silvaco模拟计算了APD器件的倍增层厚度对电场强度...
关键词：探测器 雪崩光电二极管 贯穿电压 击穿电压 分子束外延 ZN扩散 
长脉冲激光辐照Si-APD温度演化过程的数值模拟与实验研究被引量：7
《光学学报》2018年第5期171-176,共6页董渊 王頔 魏智 符泰然 
国家自然科学基金(51576110)
针对1064nm长脉冲激光辐照硅雪崩光电二极管(Si-APD)过程中所引起的温升变化规律进行了理论与实验研究。在考虑Si-APD多层结构的前提下,建立了二维轴对称热传导模型,据此进行了不同条件下的模拟仿真研究,并开展了长脉冲激光辐照Si-APD...
关键词：激光光学 长脉冲激光 激光辐照 硅雪崩光电二极管 多层结构 
雪崩光电二极管的雪崩发光串扰研究被引量：2
《光学学报》2015年第7期340-344,共5页高艳磊 芦小刚 白金海 王梦 吴令安 王如泉 庞兆广 杨世平 傅盘铭 左战春 
国家自然科学基金(11274376,61308011);国家重点基础研究发展计划(2013CB922002,2010CB922904)
在使用时间关联单光子计数的量子保密通信、量子密码术等量子光学领域中,雪崩光电二极管(APD)拥有广泛的应用。然而在其工作过程中,吸收层接收到光子形成载流子,载流子个数在倍增层进行指数型增益,每个载流子通过P-N结结点均有一定概率...
关键词：量子光学 雪崩光电二极管 串扰 光隔离 时间相关单光子计数 
基于1.5GHz多次谐波超短脉冲门控InGaAs/InP雪崩光电二极管的近红外单光子探测技术研究被引量：20
《光学学报》2014年第2期21-25,共5页黄建华 吴光 曾和平 
国家自然科学基金(61127014;11374105)
提出了一种高速门控盖格模式的铟镓砷/铟磷雪崩光电二极管(InGaAs/InP APD)单光子探测技术。将1.5GHz多次谐波超短脉冲加载到InGaAs/InP APD上,盖革模式下的光生雪崩信号埋藏在短脉冲充放电形成的噪声中,采用700MHz低通滤波器实现了50....
关键词：探测器 单光子探测 铟镓砷 铟磷雪崩光电二极管 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部