雪崩光电二极管

作品数：403被引量：886H指数：15
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硅基线性模式APD焦平面研制
《半导体光电》2022年第5期854-860,共7页郭安然 雷仁方 黄建 邓光平 马华平 黄烈云 谷顺虎 郭培 
针对三维激光雷达的应用场景对雪崩光电二极管(APD)焦平面的性能要求,研究并制备了一种2×128硅基线性模式APD焦平面组件,它由硅基APD焦平面阵列、读出电路和制冷封装管壳组成。APD像元采用拉通型结构,通过大尺寸微透镜实现了高填充因子...
关键词：雪崩光电二极管 线性模式 焦平面阵列 三维成像 
In_(0.53)Ga_(0.47)As雪崩光电二极管单光子探测器的温度特性研究被引量：3
《半导体光电》2022年第4期765-769,共5页敖天宏 赵江林 童启夏 柳聪 崔大健 张承 
In_(0.53)Ga_(0.47)As雪崩光电二极管单光子探测器(SPAD)的响应覆盖短波950~1700nm,具有体积小、灵敏度高等特点,在量子通信、激光测距、激光雷达等应用有广泛前景。工作温度是影响In_(0.53)Ga_(0.47)AsSPAD性能的重要因素,温度越高暗...
关键词：In_(0.53)Ga_(0.47)As SPAD 温度特性 短波红外探测器 激光雷达 
集成化高速APD的研究进展被引量：2
《半导体光电》2022年第2期285-293,共9页赵彦立 李倩 张和伟 丁文强 余旭镇 冯旭阳 林泽标 田扬 曾轩 
国家重点研发计划项目(2018YFB2200204)。
理论分析了降低雪崩光电二极管(APD)噪声、提高其增益及带宽的一般方法。面向APD综合响应度与带宽之间存在的固有矛盾问题,提出了采用三维纳米化技术降低APD的噪声,以及采用集成光学技术提高APD的响应度的解决方案。在此基础上,从表面...
关键词：InP集成光子学 光通信 光电探测器 雪崩光电二极管 
基于单片机多模式控制的APD偏压电路模块设计被引量：5
《半导体光电》2022年第2期400-404,共5页张建华 尹俊 朱斌 何达 柳稼齐 
针对雪崩光电二极管(APD)应用多样化的需求,提出多模式控制的APD偏压电路模块设计方案。基于APD工作原理,分析了APD增益系数、反向偏置电压、工作温度三者之间的关系,设计了具有多模式工作的APD偏压模块硬件电路,开展了详细的单片机软...
关键词：雪崩光电二极管 反向偏置电压 温度补偿 多模式控制 偏压电路 
一种25 Gbit/s背入射高速InAlAs雪崩光电二极管被引量：1
《半导体光电》2022年第1期122-125,共4页黄晓峰 陈伟 董绪丰 敖天宏 王立 唐艳 张圆圆 罗鸣 
设计并制备了一种面向25 Gbit/s长距离传输用背面进光高速InAlAs雪崩光电二极管(APD),芯片采用垂直台面吸收-渐变-电荷-倍增层分离(SAGCM)结构,通过刻蚀工艺形成三层台面,将电场限制在最大台面倍增层的中心,有效降低了台面边缘击穿风险...
关键词：25 Gbit/s 雪崩光电二极管 INALAS SAGCM 微透镜 100GBASE-ER4 
一种高精度低功耗的APD偏置电压模块设计被引量：4
《半导体光电》2021年第4期556-561,567,共7页向雨琰 郭守罡 伍煜 李松 
国家自然科学基金项目(41801261);国家科技重大专项项目(11-Y20A12-9001-17/18,42-Y20A11-9001-17/18)。
设计了一种具有升压和自动温度漂移补偿功能的雪崩光电二极管(APD)偏置电压模块,该模块包含正反馈振荡器、高频全波整流电路和温度补偿器。正反馈振荡器实现DC/AC的变换,并通过变压器进行电压放大;高频全波整流电路通过AC/DC变换输出直...
关键词：激光探测 雪崩光电二极管 温度补偿 升压 
一种应用于可见光通信系统的高带宽CMOS APD
《半导体光电》2021年第3期308-314,共7页王巍 曾虹谙 王方 毛鼎昌 冯世娟 王冠宇 袁军 
重庆市重大主题专项项目(cstc2018jszxcyztzxX0046,cstc2018jszx-cyztzxX0054)。
采用标准的0.18μm CMOS工艺,设计了一种新型的应用于可见光通信系统的雪崩光电二极管(APD)。相较于传统的CMOS APD,该器件在深n阱/p衬底的结构基础上增加一层p阱,再在其上分别离子注入一层n^(+)/p^(+)层作为器件的雪崩击穿层,并且采用...
关键词：雪崩光电二极管 可见光通信 CMOS PN结 STI保护环 带宽 响应度 
三维成像用128×2线性模式APD焦平面探测器设计被引量：4
《半导体光电》2020年第6期784-787,共4页邓光平 马华平 鹿婷婷 黄建 王颖 
设计了一种用于激光三维成像的128×2线性模式APD焦平面探测器,器件包括硅基APD焦平面阵列和读出电路。硅基APD焦平面阵列采用拉通型n+-p-π-p+结构,像元中心距为150μm,工作在线性倍增模式。读出电路采用单片集成技术,将前置放大电路、...
关键词：雪崩光电二极管 读出电路 焦平面阵列 三维成像 激光雷达 
级联倍增InAlAs/InAlGaAs雪崩光电二极管暗电流成分分析
《半导体光电》2020年第1期20-24,共5页张承 黄晓峰 迟殿鑫 唐艳 王立 柴松刚 崔大健 莫才平 高新江 
实验制备了级联倍增InAlAs/InAlGaAs雪崩光电二极管,对二极管暗电流随台面直径和温度的变化进行了研究分析。结合暗电流函数模型,利用Matlab软件对暗电流的各成分进行了数值计算,并仿真研究了芯片结构的缺陷浓度Nt和表面复合速率S对暗...
关键词：InAlAs/InAlGaAs雪崩光电二极管 暗电流 表面漏电流 缺陷辅助隧穿电流 缺陷浓度 
基于盖革模式雪崩光电二极管紫外计数系统被引量：2
《半导体光电》2019年第4期571-574,580,共5页尹文 许金通 张惠鹰 李向阳 
国家自然科学基金项目(61774162)
针对工作在盖革模式下的硅基雪崩光电二极管(APD)进行了接收电路的设计,通过主动淬灭加快恢复的方式,对APD偏压进行调控,利用单稳态触发器使淬灭信号和恢复信号独立控制APD阳极的电压,从而同时控制淬灭时间和恢复时间,将死时间缩短至100...
关键词：雪崩光电二极管 盖革模式 主动抑制 快恢复 计数 
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