半导体超晶格

作品数：149被引量：62H指数：3
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半导体超晶格太赫兹倍频器研究被引量：1
《太赫兹科学与电子信息学报》2023年第4期517-522,共6页曹俊诚 韦舒婷 郑永辉 冯伟 王长 
国家自然科学基金资助项目(61927813;61975225);上海市科学技术委员会资助项目(21DZ1101102)。
提出一种基于电场驱动的GaAs基微带超晶格高阶谐波产生的太赫兹倍频器,利用平衡方程方法分析了倍频器在磁场下峰值功率输出和在参数空间(Edc,Eac)的分布情况。研究表明,在(Edc,Eac)的参数平面内,磁场对二次和三次谐波功率的峰值影响不大...
关键词：超晶格 太赫兹 谐波 倍频器 
黄昆先生的主要科学贡献
《物理》2019年第8期504-506,共3页夏建白 
2019年是黄昆先生诞辰100周年。黄昆先生是中国老一代科学家的典范,他在国外时己在固体物理领域取得了卓越的成就,新中国成立后立即回国投身于教育事业。他与谢希德先生一起开创了中国半导体事业,同时在北京大学建立了固体物理专业,为...
关键词：固体物理 首创者 半导体超晶格 离子晶体 声子跃迁 晶格常数 物理学研究 科学贡献 
一代宗师 德厚流光——纪念黄昆先生诞辰100周年被引量：1
《物理》2019年第8期507-509,共3页郑厚植 
黄昆先生离开我们已经14年了.2019年是先生诞辰100周年。黄先生作为中国半导体科技界的一代宗师,立德立言,赤心报国,以身作则,行为典范,使我们这一代学生辈的科技人员受益匪浅。从严格意义上讲,我并不是黄先生的学生。清华和北大虽然相...
关键词：科学大师 半导体超晶格 半导体物理学 王守武 科研人才 一代宗师 中国科学院半导体研究所 低维半导体结构 
铜纳米颗粒/石墨烯核壳结构材料催化研究获进展
《硅酸盐通报》2016年第2期554-554,共1页
近日,中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员赵建华团队与合作者北京大学教授徐洪起等在《纳米快报》（Nano Letters）上发表了高质量立式In Sb二维单晶纳米片的研究成果。 在III-V族半导体中,In Sb化合物具有最窄...
关键词：铜纳米颗粒 结构材料 中国科学院半导体研究所 半导体超晶格 国家重点实验室 光电子器件 催化 核壳 
半导体所在(Ga，Mn)As纳米线研究方面取得了新进展
《人工晶体学报》2013年第4期777-777,共1页
半导体超晶格国家重点实验室赵建华研究团队近年来在提高（Ga，Mn）As居里温度方面取得了一系列重要进展。最近赵建华研究员和博士生俞学哲等与美国佛罗里达州立大学熊鹏和StephanyonMolnar教授研究组合作，国际上率先采用Ga液滴自催化...
关键词：半导体超晶格 磁性纳米线 国家重点实验室 GAAS 催化方法 闪锌矿结构 居里温度 州立大学 
半导体所在GaAs纳米线结构相变研究方面取得新进展
《人工晶体学报》2012年第5期1344-1344,共1页
最近,国际期刊《纳米快报》（Nano Latters）报道了中科院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室赵建华研究员和博士研究生俞学哲关于通过三相线位移（triple phase line shift）调控GaAs纳米线结构相变的研究成果。
关键词：半导体超晶格 结构相变 GAAS 纳米线 国家重点实验室 博士研究生 PHASE 国际期刊 
半导体超晶格属性的高分辨率X射线衍射研究被引量：3
《光子学报》2002年第8期1007-1011,共5页张党卫 张景文 侯洵 
详细阐述了低维半导体材料的X射线衍射的动力学理论和运动学理论 从高木 陶平 (T T)方程出发 ,基于波动光学原理 ,推导出任意结构的多层膜的X射线衍射振幅的递推关系式 并编写X射线衍射的程序 ,分别用动力学和运动学衍射理论模型模拟...
关键词：X射线衍射 低维半导体 超晶格 动力学理论 运动学理论 计算机模拟 
随机层厚分布的半导体超晶格光荧光对温度的依赖关系
《量子电子学报》1999年第2期134-137,共4页陈效双 窦红飞 刘兴权 陆卫 沈学础 
国家博士后基金; 上海市科技启明星计划基金
本文提出热激活辐射过程和 Ｂｅｒｔｈｅｌｏｔ－型的非辐射复合过程互相竞争的简单模型解释无序半导体超晶格的光荧光防温度变化行为．预言了当温度升高荧光衰变时间在某一温度附近快速下降；获得了在高温时较大无序度的半导体超晶格...
关键词：温度 依赖关系 随机层厚分布 半导体超晶格 光荧光 
流体静压下研究电场畴的形成机制被引量：1
《Journal of Semiconductors》1997年第7期554-557,共4页孙宝权 刘振兴 江德生 
本文利用流体静压方法研究了掺杂弱耦合GaAs／AIAs超晶格中电场畴的形成机制．对于第一个电流类平台区域，我们观察到两种级联共振隧穿过程，即当p≤2kbar时，高场畴为Γ-Γ级联共振隧穿过程，而当p＞2kbar时，高场畴为Γ－X级联共振隧...
关键词：电场畴 流体静压 半导体超晶格 形成机制 
半导体超晶格的电子态与声子模理论被引量：1
《中国科学院院刊》1997年第4期287-288,共2页朱邦芬 
关键词：半导体 超晶格 声子 电子态 
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