半导体量子阱

作品数：63被引量：96H指数：5
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半导体量子阱和量子线中杂质束缚能的度规法则与维里定理被引量：5
《Journal of Semiconductors》2002年第9期925-929,共5页刘建军 苏会 杨国琛 
河北省自然科学基金 (No.199181);河北省教育厅自然科学基金 (No.2 0 0 10 4)资助项目~~
利用变分法计算了矩形量子线和量子阱中类氢杂质束缚能的度规法则和维里定理值 .计算结果表明 :的确存在一个参数 (杂质有效玻尔半径 )可用来完全确定束缚能的值 ,而不必考虑截面的形状和尺寸 ;体系的维里定理值并不等于常数 ,而是随杂...
关键词：杂质束缚能 度规法则 维里定理 量子阱 量子线 
金属平面半导体量子阱微腔自发发射被引量：2
《Journal of Semiconductors》2000年第1期33-37,共5页赵红东 张存善 周革 沈光地 张以谟 
北京市自然科学基金和国家"863"高技术计划资助项目
应用微腔腔量子电动力学和半导体量子阱物理，讨论了平面半导体量子阱微腔的自发发射，得到了腔结构、量子阱参量和注入载流子下的微腔自发发射谱和载流子寿命．计算发现由于微腔和量子阱分别对光子和载流子的限制，平面微腔可以增进自...
关键词：微腔 自发发射 量子阱 金属平面半导体 
POET:一个自洽的半导体量子阱激光器的二维模拟器
《Journal of Semiconductors》1999年第10期900-905,共6页孔军 张文俊 杨之廉 
国家自然科学基金
我们开发了一个半导体量子阱激光器的数值模拟器ＰＯＥＴ．本文介绍了该模拟器的基本模型、工作流程和一些主要特性。
关键词：半导体激光器 量子阱 POET 模拟器 
ZnCdSe/ZnSe单量子阱中的双激子发光谱
《Journal of Semiconductors》1999年第6期492-496,共5页魏彦锋 黄大鸣 王兴军 俞根才 诸长生 王迅 
国家自然科学基金
在分子束外延生长的ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ单量子阱结构中，观察到了双激子发光谱．采用不同宽度的量子阱，得出了双激子束缚能与量子阱宽度的依赖关系．研究了双激子发光谱与激发光波长和激发功率的关系．发现在阱内激发的条件下，自...
关键词：半导体量子阱 双激子发光谱 分子束外延生长 
半导体Ⅱ-类量子阱中法诺态的结构和自发辐射对无粒子数反转光增益过程的作用被引量：1
《Journal of Semiconductors》1998年第2期81-91,共11页郭长志 陈水莲 郭九苓 王舒民 
国家自然科学基金
从全量子理论出发，进一步系统深入地分析了在Ⅱ－类半导体量子阱中实现无反转增益过程的物理机制，量子阱层导带Γ－能谷和势垒层导带Χ－能谷混合形成的量子相干法诺态的能谱结构，及其对光吸收几率的法诺量子干涉效应，首次探讨了法...
关键词：半导体量子阱 无反转增益 法诺态 激光器 
高性能实用化GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见光激光器被引量：4
《Journal of Semiconductors》1997年第6期424-430,共7页熊飞克 郭良 马骁宇 王树堂 陈良惠 
国家"863"高技术计划资助
用低压MOVPE方法研制出了波长为650nm与670nm的GaInP－AlGaInP半导体量子阱可见光激光器，并已形成一定批量生产能力，批量生产的670nm与650nm半导体量子阱可见光激光器的阈值电流典型值为35mA，额定输出光功率不小于5mw，标称工作温度...
关键词：激光器 半导体激光器 量子阱 可见光 
InP系量子阱相位调制器的理论设计
《Journal of Semiconductors》1994年第4期243-247,共5页陈建新 邬祥生 
863计划资助
本文应用量子限制Ｓｔａｒｋ效应理论计算了ＩｎＰ系量子阱中激子的波函数及激子的能量．在此基础上，计算了不同电场条件下激子能量的红移，以及吸收系数的变化．然后，根据Ｋ－Ｋ关系计算了折射率的变化，得到了一定强度外电场条件下...
关键词：相位调制器 半导体量子阱 光通信 
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