N型GAN

作品数：19被引量：31H指数：3
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相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：张国义秦志新张利民张小东赵旺更多>>
相关机构：中国科学院北京大学兰州大学三菱化学株式会社更多>>
相关期刊：《高技术通讯》《发光学报》《物理学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
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O、C离子注入n型GaN的黄光发射研究被引量：1
《核技术》2008年第8期595-599,共5页张利民 张小东 尤伟 王文秀 葛琴 刘正民 
国家自然科学基金(10605011)资助
采用光致发光（Photoluminescence，PL）谱的测量，研究了10^13-10^17cm^-2。的O和C两种离子注入和退火对非有意掺杂的n型GaN黄光发射（Yellow luminescence，YL）的影响，注入后的样品在流动N2的保护下进行退火，退火温度950℃，退火时...
关键词：GAN 离子注入 光致发光谱 
N、O、Ga、Mg和Si离子注入n型GaN样品的光致发光谱中蓝光发射带的研究
《核技术》2006年第11期835-837,共3页张小东 李公平 张利民 尤伟 张宇 刘正民 林德旭 
采用光致发光手段研究了几种不同注入离子N、O、Mg、Si和Ga对n型GaN蓝光发射带的影响。其中离子的注入剂量分别为1013、1014、1015和1016cm-2,注入温度为室温。注入后的样品在900℃流动氮气环境下进行10min的热退火。通过对实验测得的...
关键词：氮化镓 光致发光谱 离子注入 
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