PICTS

作品数：6被引量：4H指数：1
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相关领域：理学电子电信更多>>
相关作者：杨升时彬彬闵嘉华梁小燕龚大卫更多>>
相关机构：上海大学复旦大学南开大学云南师范大学更多>>
相关期刊：《人工晶体学报》《中国临床心理学杂志》《Journal of Semiconductors》《复旦学报（自然科学版）》更多>>
相关基金：国家自然科学基金上海市教育委员会创新基金云南省教育厅科学研究基金全国哲学社会科学“十五”规划课题更多>>
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溶剂熔区移动法制备Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体及性能研究被引量：2
《人工晶体学报》2015年第4期857-862,共6页时彬彬 闵嘉华 梁小燕 张继军 王林军 邢晓兵 段磊 孟华 杨升 
国家自然科学基金(11275122;51472155;11375112);上海市科委重点项目(11530500200);上海市教育委员会科研创新项目(12ZZ096)
用溶剂熔区移动法制备了掺In的Cd0.9Zn0.1Te晶体,晶体生长温度800℃,温度梯度为20℃/cm,生长速度0.4 mm/h。测试了晶体的Te夹杂情况、红外透过率图谱、I^V特性曲线和PICTS特性,并以1115℃下用VB法生长的掺In的Cd0.9Zn0.1Te晶体做为参照...
关键词：溶剂熔区移动法 Cd0.9Zn0.1Te 红外透过率 PICTS 
PICTS测试CdZnTe晶体中深能级缺陷
《人工晶体学报》2014年第4期829-833,共5页滕家琪 闵嘉华 梁小燕 周捷 张涛 时彬彬 杨升 曾李骄开 
国家自然科学基金(11275122);上海市科委重点项目(11530500200);上海市教育委员会科研创新项目(12ZZ096)
详细阐述了光生电流瞬态谱(PICTS)的原理、结构和搭建过程,其中搭建过程中采用的激光器波长为730nm,功率为50 mW,测试温度范围在液氮温度至常温之间。利用低压垂直布里奇曼法制备了掺In的CdZnTe晶体样品,采用PICTS研究了样品中的主要缺...
关键词：PICTS CDZNTE 深能级 缺陷 
中国与美国在押犯人思维风格比较
《中国临床心理学杂志》2008年第6期579-581,共3页朱海燕 宋志一 宋星 
全国哲学社会科学"十五"规划课题(BBA030015);云南省教育厅科学研究基金项目(03Z390G)
目的:探讨中国罪犯与美国罪犯思维风格的差异。方法:采用PICTS为测量工具对79名男性罪犯的思维风格进行测试。结果:两组罪犯在安慰型和自我消除型分量表上无显著差异,在权利型、超乐观型思维倾向上,国内罪犯显著低于美国罪犯,而在能力...
关键词：思维风格 PICTS 罪犯 
用PICTS研究非掺杂半绝缘CdTe的深能级被引量：1
《红外与激光技术》1995年第5期23-29,共7页刘达清 陶长远 张光寅 
本文首次报道了采用光激电流瞬态谱（ＰＩＣＴＳ）研究非掺杂半绝缘ＣｄＴｅ的深能级。结果表明，晶体内部的深能级决定着半绝缘材料的电阻率，０．１～０．１９ｅＶ深能级带是决定电阻率高低的重要因素；ＰＩＣＴＳ反映的是晶体内的深...
关键词：PICTS 深能级 半绝缘材料 碲化镉 瞬态谱 
计算机控制的高分辨率光生电流瞬态谱
《复旦学报（自然科学版）》1992年第2期175-183,共9页陆昉 袁健 龚大卫 孙恒慧 
国家自然科学基金
计算机模拟表明,对于常规的光生电流瞬态谱,如果样品中两个深能级缺陷的信号因位置接近而互相迭加,则在确定这些缺陷的参数时会由于率窗的选取不当而引进很大的误差.为此本文提出了用计算机进行数据采集及处理的高分辨率光生电流瞬态谱H...
关键词：计算机控制 深能级 PICTS 半导体 
PICTS方法研究SI-GaAs中深能级缺陷性质被引量：1
《Journal of Semiconductors》1992年第1期1-7,共7页龚大卫 陆昉 孙恒慧 
国家自然科学基金
本文用 PICTS方法配合退火实验对各种 LEC SI-GaAs材料的缺陷进行了测量,对照文献已有的各种结果,分析和讨论了一些缺陷的成因和可能结构.认为其中的W_1 可能是与As_(Ga)有关的 EL3缺陷,W_4为热应力产生的缺陷.P_1 与V_(Ga)有关.在原生...
关键词：SI-GAAS 深能级 缺陷 PICTS法 测量 
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