压敏电阻

作品数：1365被引量：1918H指数：19
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硅基MEMS梁-复合膜-岛压阻式压力传感器设计研究被引量：1
《压电与声光》2024年第1期118-123,共6页江浩 黄晶 袁宇鹏 李春洋 苗晋威 李光贤 
国家重点研发计划(2022YFB3206500)。
针对微机电系统(MEMS)压力传感器灵敏度与非线性度难以兼顾的问题,提出了一种梁-复合膜-岛压力传感结构,运用有限元仿真软件优化整体结构尺寸以得到最大纵横应力差、挠度,并设计压阻条压敏电阻掺杂类型、掺杂浓度、结构尺寸及分布位置...
关键词：压阻式压力传感器 压敏电阻 高灵敏度 微压 
四价添加剂掺杂ZnO压敏电阻器的性能被引量：2
《压电与声光》2012年第6期868-871,876,共5页姚银华 曹全喜 邹青文 
基于理论研究的结果,用固相法研究了四价添加剂对ZnO压敏电阻器性能的影响和作用机理。结果表明,优选的四价添加剂掺杂能有效降低ZnO晶粒的电阻率和残压比;通过提高晶界氧的电离度,可使晶界势垒高度上升,提高了ZnO的压敏电压梯度。
关键词：压敏电阻器 电压梯度 残压比 
(La、Nb)共掺杂TiO_2压敏陶瓷第二相形成机理被引量：5
《压电与声光》2011年第5期779-783,787,共6页严继康 甘国友 杜景红 易健宏 
云南省自然科学基金资助项目(2008ZC014M);昆明理工大学科研基金资助项目(2010-08);昆明理工大学分析测试基金资助项目(2009-013;2009-016;2009-030;2009-031)
研究了(La、Nb)共掺杂TiO2压敏陶瓷第二相的形成机理。以锐钛矿TiO2、Nb2O5和La2O3氧化物粉体为原料,采用传统固相烧结工艺制备了(La、Nb)共掺杂TiO2压敏陶瓷,采用SEM、EDS、XRD、AFM和TEM检测了(La、Nb)共掺杂TiO2压敏陶瓷样品的显微...
关键词：TIO2 陶瓷材料 压敏电阻 偏析 
流延法制备ZnO-V_2O_5-Sb_2O_3基压敏电阻
《压电与声光》2011年第2期264-267,271,共5页赵鸣 田长生 
内蒙古自然基金资助项目(20080404MS0804)
通过显微组织观察和电性能测试等研究了制备工艺和样品厚度对流延法制备单层方形ZnO-V2O5-Sb2O3(ZnVSb)基压敏电阻的影响。在流延基础上,通过加压排胶和烧结可制得无翘曲、显微组织均匀且致密的样品。900℃、4 h烧结1 mm厚样品性能最佳...
关键词：流延 ZNO 压敏电阻 制备工艺 厚度 
升温速度对压敏瓷显微组织和电性能的影响被引量：2
《压电与声光》2009年第2期244-246,250,共4页徐东 施利毅 吴振红 钟庆东 
上海市科委技术创新人才团队建设专项基金资助项目(06DZ05902);上海市科委学科带头人计划基金资助项目(07XD14014);上海市教育委员会重点学科建设基金资助项目(J50102)
采用不同的升温速度制备ZnO-Bi2O3压敏瓷,通过扫描电镜和X-射线衍射对其显微组织和相成分进行了分析,探讨了升温速度对氧化锌压敏瓷电性能和显微组织影响机理。结果表明,当升温速度为5℃/min时,压敏瓷具有较为理想的综合电性能,其电位...
关键词：压敏电阻 氧化锌 升温速度 电性能 显微组织 
ZnO压敏电阻器性能的改进被引量：2
《压电与声光》2009年第1期53-56,共4页郭征新 曹全喜 李恒喜 
采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备了ZnO压敏电阻器的复合纳米添加剂。用该添加剂与ZnO、Sb2O3混合球磨后按传统工艺制备出氧化锌压敏电阻器,对其电性能进行了测试,并对其结果进行了分析。实验结果表明,用Sol-Gel法制备的复合纳米添加剂制...
关键词：溶胶-凝胶(Sol-Gel)法 ZNO压敏电阻器 复合纳米添加剂 
梯度ZnO低压压敏陶瓷的研制被引量：2
《压电与声光》2008年第3期285-287,共3页甘国友 王立惠 孙加林 肖胜根 严继康 
云南省科技攻关基金资助项目(2002GG09);昆明理工大学科研基金资助项目(2007-15)
采用材料梯度化设计思路,将传统电子陶瓷工艺的单层装料一次干压成型工序改进为逐层装料一次干压成型工序。沿着实现ZnO压敏陶瓷低压化的主要途径:减小ZnO压敏电阻器瓷片的厚度和增大ZnO平均晶粒尺寸,在烧结温度1 100℃下,制备出电学性...
关键词：梯度功能材料 ZNO 低压 压敏电阻 陶瓷 
BaBSi玻璃对ZnVSb基压敏电阻结构与性能的影响被引量：3
《压电与声光》2008年第1期112-114,共3页刘佳骥 赵鸣 高峰 田长生 
国家自然科学基金资助项目(60501015);陕西省自然科学基金资助项目(N6CS0001)
通过传统工艺制备出Ba-B-Si玻璃相掺杂的Zn-V-Sb基压敏电阻材料,研究了其微观结构及性能。结果表明,Ba-B-Si玻璃相的掺杂能降低Zn-V-Sb基压敏电阻试样的烧结温度,玻璃相中B2O3的含量过多,会使ZnO压敏电阻材料的伏安(V-I)特性变差;而Ba2...
关键词：Ba-B-Si玻璃相 压敏电阻 烧结温度 掺杂 
微波等离子烧结ZnO/Bi_2O_3系压敏电阻研究被引量：3
《压电与声光》2006年第2期199-201,共3页禹争光 杨邦朝 
采用常规微波和微波等离子对比烧结ZnO／Bi2O3系压敏电阻发现：两者均可快速成瓷，烧结时间由常规的20h减少到45min；烧结后，ZnO晶粒细小（约1μm）均匀，相比而言，等离子更有利于压敏电阻烧结。45min等离子烧结后，压敏电阻瓷体密度...
关键词：微波等离子 ZNO压敏电阻 烧结 漏电流 
表面层对TiO_2压敏陶瓷电学性能的影响被引量：7
《压电与声光》2005年第3期260-262,共3页张小文 甘国友 严继康 陈敬超 杜景红 
云南省科技攻关基金资助项目(2002GG09)
用电子陶瓷工艺制备了(La,Sr)掺杂的TiO2压敏-电容双功能元件,其压敏电压(V1mA)为8～38V·mm-1,非线性系数为3～5.5,介电常数可达105。样品的压敏电压受表面层影响显著,随着厚度的减少,V1mA从27～38V·mm-1降至8～15V·mm-1,但非线性系...
关键词：二氧化钛 压敏电阻 双功能 表面效应 陶瓷 
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