SI/SIGE

作品数：59被引量：59H指数：4
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相关作者：陈建新史辰杨维明李成林桂江更多>>
相关机构：北京工业大学中国科学院厦门大学西安交通大学更多>>
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Si/SiGe/Si双异质结晶体管(HBT)的负阻特性被引量：4
《电子学报》2001年第8期1132-1134,共3页张万荣 李志国 王立新 汪东 崔福现 孙英华 程尧海 陈建新 沈光地 罗晋生 
北京市自然基金 (No .4982 0 0 4 ) ;北京市科技新星项目基金 (No.952 871 90 0 )
同质结硅双极晶体管在共射极状态下工作中 ,在高集电极———发射极电压、大电流下 ,由于热电正反馈 ,容易发生热击穿 ,这限制了晶体管的安全工作区域。本文报道了在大电流下 ,由于热电负反馈 ,重掺杂基区Si/SiGe/HBT出现了负阻特性 ,...
关键词：异质结双极晶体管 负阻特性 输出特性 硅 锗 
Si/SiGe/Si HBT频率特性的解析模型与模拟被引量：2
《固体电子学研究与进展》1998年第3期291-301,共11页张万荣 罗晋生 李志国 孙英华 穆甫臣 程尧海 陈建新 沈光地 
国家教委博士点基金;北京市科技新星计划基金;电子部5所国家重点实验室基金
用解析的方法模拟了T＝300K和77K时，fT和fmax与集电极电流密度Jc的关系，在大电流下考虑了异质结势垒效应的影响。模拟结果和用数值方法以及实验所得到的结果一致。同时，还建立了与之相应的Si／SiGeeb异质结和SiGe／Sibc异质结电容模型。
关键词：异质结 晶体管 截止频率 最高振荡频率 HBT 
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