SI/SIGE

作品数：59被引量：59H指数：4
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用离子注入和掩埋金属自对准技术改善Si/SiGe HBT性能
《电子器件》2005年第2期245-247,393,共4页杨维明 史辰 徐晨 陈建新 
北京市自然科学基金资助项目(4032005)
在器件纵向结构确定后,常规工艺制作的SiGe/SiHBT噪声性能不理想的主要原因是其基极电阻较大,高频性能不理想主要是由于其基极和发射极台面面积较大造成的;为达到改善其高频与低噪声性能的目的,在不改变光刻工艺精度的情况下,采用离子...
关键词：离子注入 掩埋金属自对准 HBT 噪声系数 
射频Si/SiGe/Si HBT的研究
《电子器件》2003年第2期136-138,共3页廖小平 殷刚毅 
东南大学科学基金资助
在Si/SiGe/Si HBT与Si工艺兼容的研究基础上,对射频Si/SiGe/Si HBT的射频特性和制备工艺进行了研究,分析了与器件结构有关的关键参数寄生电容和寄生电阻与Si/SiGe/Si HBT的特征频率f_τ和最高振荡频率f_(max)的关系,成功地制备了f_τ为2...
关键词：Si/SiGe/SiHBT 特征频率fT 最高振荡频率fmax 
Si/SiGe/Si HBT的直流特性和低频噪声被引量：1
《电子器件》2003年第1期22-24,共3页廖小平 张中平 
东南大学科学基金资助
在对Si/SiGe/SiHBT及其Si兼容工艺的研究基础上 ,研制成功低噪声Si/SiGe/SiHBT ,测试和分析了它的直流特性和低频噪声特性 。
关键词：SI/SIGE/SI HBT 直流特性 低频噪声 
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