SIC材料

作品数：114被引量：361H指数：8
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分子动力学研究SiC材料中的辐照损伤过程
《北京大学学报（自然科学版）》2009年第3期385-389,共5页何斌 薛建明 邹雪晴 王宇钢 
国家重点基础研究发展计划项目(2008CB717803)资助
利用分子动力学方法模拟了SiC材料的辐照损伤过程,对缺陷的产生规律以及电子能损的影响进行了研究。模拟中,SiC原子之间的作用势采用Tersoff经验势,入射离子采用了10 keV的Si和200 keV的Au。在200 keV的Au原子入射的情况下,利用iontrac...
关键词：分子动力学 电子能损 辐照损伤 SIC 
Ni基n型SiC材料的欧姆接触机理及模型研究被引量：5
《固体电子学研究与进展》2008年第1期42-45,共4页郭辉 张义门 张玉明 吕红亮 
国家自然科学基金资助项目(60376001);973项目(2002CB311904)资助
研究了Ni基n型SiC材料的欧姆接触的形成机理,认为合金化退火过程中形成的C空位(Vc)而导致的高载流子浓度层对欧姆接触的形成起了关键作用。给出了欧姆接触的能带结构图,提出比接触电阻ρC由ρC1和ρC2两部分构成。ρC1是Ni硅化物与其下...
关键词：碳化硅 欧姆接触 退火 碳空位 
HFCVD法制备SiC材料及室温光致发光被引量：2
《液晶与显示》2004年第6期455-457,共3页王辉 宋航 金亿鑫 蒋红 缪国庆 李志明 赵海峰 
国家重点基础研究发展计划(No.2003CB314701);国家自然科学基金面上基金(No.60177014)
利用热丝化学气相沉积法(HFCVD)以CH4和SiH4作为反应气体在Si衬底上制备了SiC薄膜。用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收谱(FTIR)等手段对样品进行了结构和组分分析,分析结果表明已经在Si衬底上制备了SiC薄膜。对所制备的SiC薄膜进行了光...
关键词：光致发光 碳化硅 HFCVD 
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