SMPS

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英飞凌OptiMOS源极底置功率MOSFET系列新添PQFN封装的40V装置
《半导体信息》2020年第6期13-14,共2页
当代的电源系统设计需要高功率密度等级和精巧的外型尺寸,以期得到最高的系统级性能。英飞凌科技股份公司通过专注于强化元器件产品达到系统创新,来应对这一挑战。继2月份推出25V装置后,英飞凌又推出了OptiMOS 40V低电压功率MOSFET,采...
关键词：功率MOSFET 英飞凌科技 源极 SMPS 电动工具 元器件产品 电池保护 外型尺寸 
英飞凌推出650V SiC MOSFET低压SiC市场竞争风起云涌
《半导体信息》2020年第3期16-18,共3页
日前,英飞凌宣布推出650V SiC MOSFET,标志着公司进一步增强了在低压SiC领域的布局,650V CoolSiC MOSFET系列,可以满足包括服务器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源存储和电池化成、不间断电源(UPS)、电机控制和驱动以及电动汽车充电...
关键词：英飞凌科技 开关电源 太阳能系统 大中华区 SMPS 传感系统 第三代半导体 功率密度 
更可靠更高效英飞凌650V CoolSiC^TM MOSFET问市
《半导体信息》2020年第1期9-9,共1页
英飞凌科技股份公司进一步扩展其碳化硅(SiC)产品组合,推出650V器件。其全新发布的CoolSiC^TM MOSFET满足了包括服务器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源存储和电池化成、不间断电源(UPS)、电机控制和驱动以及电动汽车充电在内的大量...
关键词：英飞凌科技 太阳能系统 SMPS MOSFET 能源存储 产品组合 功率密度 
英飞凌在CoolGaN产品组合中增加了400V和600V器件
《半导体信息》2019年第6期9-10,共2页
德国慕尼黑的Infineon Technologies AG已通过两种新器件扩展了Cool-GaN系列。CoolGaN 400V器件(IGT40R070D1 E8220)专为高端HiFi音频系统量身定制,在该系统中,最终用户需要高分辨率音轨的每个细节。传统上,这些已由庞大的线性或电子管...
关键词：电子管放大器 音频设计 音频系统 输出级 GaN SMPS 产品组合 最终用户 
英飞凌推出新型950V CoolMOS P7超结MOSFET器件
《半导体信息》2018年第5期17-18,共2页
更高密度的低功率SMPS设计需要越来越多的高压MOSFET器件。英飞凌科技股份公司推出CoolMOS^（TM） P7系列的新成员950V CoolMOS P7超结MOSFET器件。该器件甚至能达到最严格的设计要求：用于照明、智能电表、移动充电器、笔记本适配器、...
关键词：MOSFET器件 COOLMOS SMPS 股份公司 智能电表 低功率 高密度 充电器 
600V CoolMOS^(TM) CFD7 SJ MOSFET将性能提升到全新水准被引量：1
《半导体信息》2017年第6期9-9,共1页
凭借600V CoolMOS^（TM） CFD7,英飞凌科技股份公司推出最新的高压超结MOSFET技术。该600V CoolMOS^（TM） CFD7是CoolMOS 7系列的新成员。这款全新MOSFET满足了高功率SMPS市场对谐振拓扑的需求。它的LLC和ZVS PSFB等软开关拓扑具备业...
关键词：MOSFET COOLMOS 水准 性能 SMPS 股份公司 电动汽车 电信设备 
英飞凌800V CoolMOS P7系列设立效率和散热性能的新基准
《半导体信息》2016年第5期10-10,共1页
英飞凌科技股份公司推出800V CoolMOS^TM P7系列。该800V MOSFET基于超级结技术，兼具出类拔萃的性能和优异的易用性。这个新的产品家族非常适于低功率SMPS应用，可完全满足性能、易于设计和性价比等市场需求。
关键词：散热性能 COOLMOS 基准 MOSFET 股份公司 SMPS 市场需求 易用性 
e络盟进一步扩充英飞凌CoolMOS^(TM)与OptiMOS^(TM)系列功率MOSFET,支持亚太区电子产品设计
《半导体信息》2015年第1期3-4,共2页郑畅 
e络盟日前宣布新增来自全球半导体和系统解决方案领先提供商英飞凌的CoolMOSTM与OptiMOSTM系列产品,进一步扩充其功率MOSFET产品组合。该系列产品可为开关电源（SMPS）应用提供优异性能,从而实现更高效率、更高...
关键词：英飞凌 COOLMOS OPTIMOS TM 电子产品设计 开关电源 SMPS 系列产品 产品组合 领先产品 
Vishay发布其E系列器件的首颗500V高压MOSFET
《半导体信息》2014年第5期8-9,共2页赵佶 
2014年10月9日,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新的500 V家族里首款MOSFET—SiHx25N50E,该器件具有与该公司600 V和650 V E系列器件相同的低导通电阻和低开关损耗优点。新器件的低导通电阻和栅极电荷在高功率、高性能的消费类产...
关键词：VISHAY 低导通电阻 开关电源 栅极电荷 SMPS 首款 开关损耗 消费类产品 开关速度 反激 
英飞凌成功推出第五代thinQ！TM SiC肖特基势垒二极管
《半导体信息》2012年第6期16-16,共1页郑冬冬 
英飞凌近日宣布推出第五代650 V thinQ!TM SiC肖特基势垒二极管,壮大其SiC产品阵容。英飞凌荣获专利的扩散焊接工艺早已应用于第三代产品,如今又成功地与更紧凑的全新设计和最新的薄晶圆技术有机结合在一起,改进了热特性,并使一个优值系...
关键词：TM SiC thinQ 英飞凌 扩散焊接 产品阵容 第三代 太阳能逆变器 不间断电源 正向电压 SMPS 
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