SOI材料

作品数：103被引量：62H指数：4
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SOI全介质隔离与高频互补双极兼容工艺被引量：2
《微电子学》1996年第3期150-152,共3页王界平 王清平 
ＳＯＩ材料的全介质隔离技术与高频互补双极工艺的结合是研制抗辐照能力强、频带宽、速度高的集成运算放大器的理想途径。从实验的角度提出了一种ＳＯＩ材料全介质隔离与高频互补双极工艺兼容的工艺途径。
关键词：SOI材料 全介质隔离 工艺 高频互补双极 
SOI材料与器件的辐照效应被引量：2
《微电子学》1994年第6期42-50,共9页竺士炀 林成鲁 
目前，ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎＯｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）材料的一个主要用途是用来制作抗辐照电路，本文以ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐｅｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｇｅｎ）技术为主，详细论述了ＳＯＩ材料和器件（Ｍ...
关键词：SOI 抗辐照器件 单粒子效应 集成电路 VLSI 
三种SOI材料工艺的电气和辐射特性
《微电子学》1989年第5期84-91,共8页Wade A.Krull 倪沛然 
近来,人们正在开发许多种绝缘体上硅膜(SOI)材料工艺。这些工艺的每种电气或物理特性都会影响其潜在应用。本文描述了哈里斯半导体公司开发的三种SOI材料工艺的特性研究,即SIMOS,按比例缩小介质隔离及圆片粘合工艺。本文还评论了这些材...
关键词：SOI材料 电气 辐射 特性 
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