SPICE模型

作品数：106被引量：155H指数：6
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高功率微波对PCB电路系统辐照效应的仿真分析被引量：5
《强激光与粒子束》2011年第11期2841-2844,共4页张薇 杜正伟 
国家高技术发展计划项目
以实验室自主研发的2维半导体器件-电路联合仿真程序用于分析高功率微波注入下半导体器件的毁伤机理,以此2维半导体器件-电路联合仿真程序为基础加以扩展,添加了电磁波辐照射下微带线的SPICE电路模型。扩展后的程序可以同时用于分析平...
关键词：高功率微波 半导体器件 SPICE模型 PCB电路 屏蔽腔 
高压VDMOS器件的SP ICE模型研究
《固体电子学研究与进展》2005年第3期410-415,共6页赵野 孙伟锋 易扬波 鲍嘉明 时龙兴 
国家高技术研究发展计划("863"计划)资助项目(No.2003AA1Z1400)
基于高压VDMOS器件的物理机理和特殊结构,对非均匀掺杂沟道、漂移区非线性电阻及非线性寄生电容效应进行分析,用多维非线性方程组描述了器件特性与各参数之间的关系,建立了精确的高压六角型元胞VDMOS器件三维物理模型,并用数值方法求解...
关键词：SPICE模型 高压集成电路 非均匀沟道 纵向双扩散金属氧化物半导体 漂移区 
a-Si∶H TFT亚阈值区SPICE模型的研究被引量：2
《液晶与显示》2005年第4期267-272,共6页邵喜斌 王丽娟 李梅 
国家"863"十五计划资助项目(No.2004AA303560)
研究了将非晶硅薄膜晶体管(a-Si∶HTFT)在电路模拟程序(SPICE)中使用的亚阈值区模型,将亚阈值区分为亚阈值前区和亚阈值后区并建立了模型,对比了不同模型下的模拟结果,发现亚阈值区的TFT特性依赖于材料性质,而且亚阈值前区和亚阈值后区...
关键词：a—Si:H TFT SPICE模型 亚阈值区 
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