SPICE模型

作品数：106被引量：155H指数：6
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多沟道碳纳米晶体管SPICE模型与环形振荡器设计
《固体电子学研究与进展》2011年第4期354-358,共5页张旭琛 戴庆元 张亚非 彭敏 杜涛 
针对多沟道碳纳米晶体管(MC-CNTFET)越来越接近实用化的发展现状,提出了一种多沟道碳纳米晶体管的集成电路仿真SPICE(Simulation program with integrated ciruit emphasis)模型,并基于此模型,对用多沟道碳纳米晶体管构成的环形振荡器...
关键词：碳纳米管 多沟道碳纳米晶体管 环形振荡器 
钟控神经元MOS晶体管的改进HSPICE宏模型被引量：3
《固体电子学研究与进展》2007年第3期301-304,共4页杨媛 高勇 余宁梅 张如亮 胡挺 
西安-应用材料创新基金资助项目(XA-AM200514)
为了解决传统钟控神经元MOSSPICE模型无法进行连续若干个周期瞬态分析的问题,提出了一种改进的钟控神经元MOSSPICE子电路宏模型,采用HSPICE对器件进行了建模,并对模型进行了验证。验证结果表明,改进的模型既适用于普通神经元MOS,可以进...
关键词：钟控神经元金属-绝缘层-半导体 SPICE模型 子电路 
基于主方程单电子晶体管模拟新方法被引量：1
《固体电子学研究与进展》2007年第1期18-23,共6页何怡刚 彭浴辉 李必安 李亨 刘慧 方葛丰 
教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-04-0767);高校博士点基金(20060532002);湖南省科技计划项目(03GKY3115;04FJ2003;05GK2005;06JJ2024);国家自然科学基金(50677014)
在对单电子晶体管主方程模型及主方程的解法详细的分析的基础上,把单电子晶体管主方程模型和SP ICE的ABM功能结合,提出了基于主方程的单电子晶体管SP ICE模型。该模型由一个非线性电压控制电流源、非线性电压控制电压源、电容构成。并...
关键词：单电子晶体管 主方程模型 SPICE模型 伏安特性 
高压VDMOS器件的SP ICE模型研究
《固体电子学研究与进展》2005年第3期410-415,共6页赵野 孙伟锋 易扬波 鲍嘉明 时龙兴 
国家高技术研究发展计划("863"计划)资助项目(No.2003AA1Z1400)
基于高压VDMOS器件的物理机理和特殊结构,对非均匀掺杂沟道、漂移区非线性电阻及非线性寄生电容效应进行分析,用多维非线性方程组描述了器件特性与各参数之间的关系,建立了精确的高压六角型元胞VDMOS器件三维物理模型,并用数值方法求解...
关键词：SPICE模型 高压集成电路 非均匀沟道 纵向双扩散金属氧化物半导体 漂移区 
通用光电二极管SPICE模型与特性分析被引量：8
《固体电子学研究与进展》2003年第4期480-483,513,共5页李守智 田敬民 苏琦 
提出一种普适光电二极管 SPICE模型用于 ANACAD ELDO电路模拟 ,并能分析其光源的光谱特性 ,比较 ELDO模拟和器件数值模拟结果说明 。
关键词：光电二极管 SPICE模型 特性分析 光谱特性 器件数值模拟 光学微系统 ELDO模拟 
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