SPICE模型

作品数：106被引量：155H指数：6
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包含SiC/SiO2界面电荷的SiC MOSFET的SPICE模型被引量：4
《中国电机工程学报》2019年第19期5604-5612,共9页周郁明 蒋保国 刘航志 陈兆权 王兵 
国家自然科学基金项目(11575003)~~
建立碳化硅(silicon carbide,SiC)金属–氧化物–半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effect transistor, MOSFET)的通用模拟电路仿真器(simulation program with integrated circuit emphasis,SPICE)模型。模型采用三...
关键词：通用模拟电路仿真器模型 碳化硅金属–氧化物–半导体场效应晶体管 界面电荷 迁移率 泄漏电流 失效 
基于先进迁移率模型的4H-SiC MOSFET Spice模型研究被引量：2
《中国科学技术大学学报》2017年第10期878-884,共7页周郁明 李勇杰 鲍观甲 刘航志 
国家自然科学基金(51177003);安徽高校自然科学基金(KJ2016A805)资助
提出了一种基于先进迁移率模型的4H-SiC MOSFET的Spice模型,该模型是基于MOSFET的Spice一级(Level-1)模型方程,将方程中的常数迁移率用更能准确反映4H-SiC/SiO2界面特性的迁移率模型来代替.产品数据手册验证了该模型静态特性的准确性,DC...
关键词：4H-SIC MOSFET SPICE模型 迁移率 开关损耗 
基于SPICE模型的SiC MOSFET静动态特性分析被引量：3
《电力电子技术》2017年第9期28-30,共3页许明明 王佳宁 冯之健 
国家青年科学基金(51607053)~~
基于C2M系列SPICE模型,对碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)静动态特性进行分析。结果表明该模型在工作结温较低时,与数据手册提供的静态特性曲线较吻合,但工作结温较高时对SiC MOSFET静态特性模拟效果较差,于是在该模...
关键词：晶体管 静动态特性 温控电压源 
改进型碳化硅MOSFETs Spice电路模型
《电源学报》2016年第4期28-31,共4页李勇杰 陈伟伟 周郁明 
国家自然科学基金资助项目(51177003);安徽高校自然科学研究资助项目(KJ2016A805)~~
在高温、高压和高频的电力电子应用中,碳化硅(SiC)MOSFETs展现出了巨大的潜力。为了在宽温度范围内更准确地反映SiC MOSFETs的转移特性,提出了一种简化的含温控电源的SiC MOSFETs的Spice电路模型。温控模型的引入补偿了器件在宽温度范...
关键词：SIC MOSFET SPICE模型 温控模型 
一种40nm MOSFET版图相关的波动模型建立
《微电子学》2016年第2期273-276,281,共5页朱诗倩 孙立杰 石艳玲 
针对版图邻近与工艺波动因素对40nm MOSFET器件物理效应变化和性能波动的影响进行分析,提出一种基于BSIM4.5的新型模型,修正原有模型的阈值电压和迁移率机制,有效地实现了版图邻近效应的建模。该模型主要考虑了相邻栅极间距psf和pss,相...
关键词：版图 SPICE模型 MOSFET 
MOSFET器件热载流子效应SPICE模型被引量：1
《东南大学学报（自然科学版）》2015年第1期12-16,共5页戴佼容 刘斯扬 张春伟 孙陈超 孙伟锋 
东南大学无锡分校科研引导资金资助项目;东南大学研究生科研基金资助项目(YBPY1403)
为了预测MOSFET器件在热载流子效应影响下的退化情况,建立了一套描述MOSFET器件热载流子效应的可靠性SPICE模型.首先,改进了BSIM3v3模型中的衬底电流模型,将拟合的精确度提高到95%以上.然后,以Hu模型为主要理论依据,结合BSIM3v3模型中...
关键词：MOSFET 热载流子效应 退化 
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