SRAM

作品数：1042被引量：981H指数：11
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相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
相关作者：吴秀龙彭春雨韩郑生蔺智挺卢文娟更多>>
相关机构：安徽大学国防科学技术大学中芯国际集成电路制造(上海)有限公司中国科学院微电子研究所更多>>
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纳米SRAM寄生双极晶体管效应的仿真研究被引量：1
《电子学报》2018年第10期2495-2503,共9页赵雯 郭晓强 陈伟 罗尹虹 王汉宁 
国家安全重大基础研究(No.613224)
以65nm双阱CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺的SRAM(Static Random Access Memory)为研究对象,采用三维数值模拟方法,结合SRAM中晶体管布局和邻近SRAM的相对位置,对寄生双极晶体管效应致纳米SRAM内部节点电势多次翻...
关键词：寄生双极晶体管效应 单粒子多位翻转 纳米SRAM 
半导体器件内离子有效LET值测量方法研究
《电子学报》2018年第10期2546-2550,共5页史淑廷 郭刚 刘建成 蔡莉 陈泉 沈东军 惠宁 张艳文 覃英参 韩金华 陈启明 张付强 殷倩 肖舒颜 
国家安全重大基础研究计划子专题(No.6132240302-1);国家自然科学基金青年基金(No.11105230)。
提出了一种基于电荷收集测试技术的离子有效LET值测量方法.首先对半导体器件内收集电荷量与入射离子有效LET值之间的关系进行了分析,根据二者之间的关系提出通过测量电荷收集量从而测量离子有效LET值的方法;然后建立了半导体器件电荷收...
关键词：单粒子效应 电荷收集 有效LET值 SRAM 
A Novel 4T nMOS-Only SRAM Cell in 32nm Technology Node
《Journal of Semiconductors》2008年第10期1917-1921,共5页张万成 吴南健 
国家自然科学基金(批准号:90607007);国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB921201)资助项目~~
This paper proposes a novel loadless 4T SRAM cell composed of nMOS transistors. The SRAM cell is based on 32nm silicon-on-insulator （SO1） technology node. It consists of two access transistors and two pull-down tran...
关键词：SRAM cell SOI 4T-SRAM 32nm technology node 
一种新颖的双端口数据高速缓冲存储器
《微电子学》2003年第6期537-540,共4页张卫新 单睿 侯朝焕 
国家"九七三"重点基础研究发展规划项目(G1999032904);中国科学院知识创新工程先期启动项目资助
　VLIW体系结构是媒体处理器的首选技术。解决处理器内核与访存之间的数据瓶颈,可以采用双Load/Store单元。为此,需要开发具有双端口访问能力的数据高速缓冲存储器。通过分析双端口情况下的系统工作时序、缺失(miss)处理和替换算法,设...
关键词：高速缓冲存储器 双端口 超长指令字 微处理器 SRAM Load/Store 
一种改进的嵌入式SRAM内建自测试设计
《微电子学》2003年第3期243-246,共4页张卫新 侯朝焕 
国家"九七三"重点基础研究发展规划项目(G1999032904)
　对单端口SRAM常用的13N测试算法进行修改和扩展,提出了一种适用于双端口SRAM的测试算法。该测试算法的复杂度为O(n),具有很好的实用性。作为一个实际应用,通过将该算法和13N测试算法实现于测试算法控制单元,完成了对片内多块单端口SRA...
关键词：嵌入式 SRAM 测试算法 可测性设计 存储器 控制器 测试诊断 地址发生器 
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